多晶硅湿法提纯与定向生长模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-21页 |
| ·研究背景和意义 | 第7-8页 |
| ·冶金法制备太阳能级多晶硅工艺 | 第8-11页 |
| ·冶金法概述 | 第8页 |
| ·冶金法制备多晶硅主要工艺路线 | 第8-11页 |
| ·太阳能多晶硅锭定向凝固主要技术 | 第11-15页 |
| ·浇铸法 | 第12-13页 |
| ·布里奇曼法 | 第13页 |
| ·热交换法 | 第13-14页 |
| ·电磁感应加热连续铸造法 | 第14-15页 |
| ·湿法冶金 | 第15-17页 |
| ·数值模拟在多晶硅晶体生长的应用 | 第17-19页 |
| ·本课题研究的目的、内容和意义 | 第19-21页 |
| ·研究的目的和意义 | 第19-20页 |
| ·研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第2章 冶金级硅湿法提纯 | 第21-33页 |
| ·实验原理 | 第21页 |
| ·实验目的及方案设计 | 第21-25页 |
| ·实验目的 | 第21页 |
| ·实验试剂 | 第21-22页 |
| ·实验仪器和设备 | 第22页 |
| ·实验流程 | 第22-25页 |
| ·探索试验结果与讨论 | 第25-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 多晶硅晶体生长的多物理场系统描述 | 第33-42页 |
| ·定向凝固炉内热量的传递 | 第33-34页 |
| ·影响晶体生长的热场和流场的因素 | 第34-35页 |
| ·多物理场系统描述 | 第35-39页 |
| ·热场 | 第35-37页 |
| ·流场 | 第37页 |
| ·电磁场 | 第37-39页 |
| ·边界条件 | 第39页 |
| ·晶体固化理论 | 第39-40页 |
| ·流场型态的判断 | 第40-41页 |
| 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 多晶硅晶体生长的数值模拟研究 | 第42-56页 |
| ·有限元法与软件 | 第42-43页 |
| ·形状函数 | 第43页 |
| ·收敛条件 | 第43-44页 |
| ·分析流程 | 第44-49页 |
| ·建立模型和绘制几何图形 | 第45-46页 |
| ·元素型式、物理模块的选择及材料设定 | 第46-47页 |
| ·边界条件设定 | 第47页 |
| ·网格划分 | 第47-48页 |
| ·分析 | 第48-49页 |
| ·模拟结果与分析 | 第49-55页 |
| ·多晶硅晶体生长每个阶段的坩埚内温度场分布 | 第50-52页 |
| ·未长晶阶段多晶硅熔体中心轴处温度场分布情况 | 第52-53页 |
| ·未长晶阶段多晶硅熔体表面处温度场分布情况 | 第53-54页 |
| ·外加稳恒磁场下多晶硅结晶阶段的固液界面情况 | 第54-55页 |
| 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第62页 |
