| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 SiC性质、辐照损伤及缺陷 | 第14-29页 |
| ·SiC的基本性质 | 第14-18页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第14-17页 |
| ·SiC的光学性质 | 第17-18页 |
| ·晶体缺陷 | 第18-24页 |
| ·缺陷的种类 | 第18-19页 |
| ·点缺陷的产生、迁移及复合 | 第19-22页 |
| ·点缺陷的产生 | 第20页 |
| ·点缺陷的迁移 | 第20-21页 |
| ·点缺陷的缔合与缺陷簇 | 第21-22页 |
| ·位错 | 第22-24页 |
| ·刃位错和螺位错 | 第22-23页 |
| ·位错的滑移与攀移 | 第23-24页 |
| ·SiC的辐照损伤 | 第24-29页 |
| ·中子辐照 | 第24-26页 |
| ·辐照缺陷对材料产生的影响 | 第26-27页 |
| ·辐照损伤的退火及其回复规律 | 第27-29页 |
| 第三章 测试技术及相关原理 | 第29-35页 |
| ·X射线衍射 | 第29-31页 |
| ·完美晶体的X射线衍射强度及半高宽 | 第29-30页 |
| ·非对称和斜对称对X射线的影响 | 第30-31页 |
| ·拉曼光谱原理及对半导体材料的表征 | 第31-35页 |
| ·拉曼光谱原理 | 第31-32页 |
| ·拉曼光谱的参数 | 第32-33页 |
| ·拉曼光谱对SiC半导体材料的表征 | 第33-35页 |
| 第四章 6H-SiC晶体振动模式的理论计算 | 第35-43页 |
| ·晶格振动的对称性分类 | 第35-36页 |
| ·对称性模式分类法计算 3C-SiC的振动模式及色散曲线 | 第36-41页 |
| ·3C-SiC晶体的晶格振动模分析 | 第36-39页 |
| ·相适关系及其色散曲线 | 第39-41页 |
| ·采用“大区域和区域折叠”得出 6H-SiC的振动模式 | 第41-43页 |
| 第五章 实验、结果与讨论 | 第43-69页 |
| ·实验条件 | 第43-44页 |
| ·实验结果及讨论 | 第44-69页 |
| ·拉曼光谱研究中子辐照 6H-SiC晶体的退火回复特性 | 第44-56页 |
| ·不同剂量的中子辐照 6H-SiC的拉曼光谱 | 第45-53页 |
| ·中子辐照 6H-SiC晶体拉曼光谱随退火温度的变化 | 第53-56页 |
| ·紫外可见光谱研究中子辐照 6H-SiC的退火回复特性 | 第56-65页 |
| ·不同剂量中子辐照 6H-SiC的紫外可见吸收光谱 | 第57-58页 |
| ·中子辐照 6H-SiC的吸收光谱随退火温度的变化 | 第58-65页 |
| ·X射线衍射研究中子辐照 6H-SiC的退火回复特性 | 第65-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
