CVD法采用TEOS-O3沉积二氧化硅膜
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 序言 | 第8-11页 |
| 第二章 化学气相沉积法简介 | 第11-15页 |
| ·CVD | 第11-12页 |
| ·几种常见的CVD | 第12-15页 |
| 第三章 薄膜生长机理研究 | 第15-20页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第15-20页 |
| ·临界核的形成 | 第15-17页 |
| ·岛的长大和接合 | 第17-18页 |
| ·迷津结构的形成 | 第18页 |
| ·连续膜的形成 | 第18-20页 |
| 第四章 样品制备 | 第20-28页 |
| ·常压下TEOS-O_3沉积SiO_2 | 第20-24页 |
| ·实验装置 | 第20-21页 |
| ·实验原理 | 第21-22页 |
| ·实验样品制备 | 第22-24页 |
| ·低压下TEOS-O_3沉积SiO_2 | 第24-28页 |
| ·实验样品制备 | 第24-28页 |
| 第五章 结果讨论与分析 | 第28-39页 |
| ·常压下TEOS-O_3沉积SiO_2 | 第28-35页 |
| ·沉积速率随温度的变化 | 第28-29页 |
| ·腐蚀速率随温度的变化 | 第29-30页 |
| ·沉积速率随TEOS流量的变化 | 第30-32页 |
| ·腐蚀速率随TEOS流量的变化 | 第32页 |
| ·沉积速率随O_2／TEOS比率的变化 | 第32-33页 |
| ·腐蚀速率随O_2／TEOS比率的变化 | 第33-35页 |
| ·低压下TEOS-O_3沉积SiO_2 | 第35-39页 |
| ·低压下沉积速率随沉积温度的变化 | 第35-36页 |
| ·常压和低压下，沉积速率随沉积温度的变化比较 | 第36-37页 |
| ·低压下腐蚀速率随沉积温度的变化 | 第37-38页 |
| ·常压和低压下，腐蚀速率随沉积温度的变化比较 | 第38-39页 |
| 第六章 结束语 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
