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SiC生长初期C原子沉积过程的分子动力学模拟

第一章 绪论第1-9页
第二章 分子动力学方法第9-15页
 2.1 分子动力学方法第9-13页
 2.2 硅原子间相互作用势第13-15页
第三章 硅(001)表面再构第15-21页
 3.1 引言第15页
 3.2 模型第15页
 3.3 模拟结果与讨论第15-21页
第四章 C原子与Si(001)表面的相互作用过程第21-37页
 4.1 引言第21-22页
 4.2 模型第22页
 4.3 结果与讨论第22-37页
  4.3.1 C原子在Si(001)衬底表面的成键特性第22-24页
  4.3.2 低能C原子与Si(001)-(2Xl)重构表面碰撞动力学过程的研究第24-37页
第五章 荷能C原子与石墨的相互作用第37-40页
 5.1 模型第37-38页
 5.2 结果与讨论第38-40页
第六章 结束语第40-42页
参考文献第42-44页

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