| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 1．1 引言 | 第8-10页 |
| 1．2 SiGe/Si HBT的工作原理 | 第10-12页 |
| 1．3 SiGe/Si集成电路 | 第12-13页 |
| 1．4 本论文的主要技术路线 | 第13-14页 |
| 第二章 各电路部件交流模型的建立及其等效电路的推导 | 第14-34页 |
| 2．1 本征HBT模型的推导 | 第14-19页 |
| 2．2 本征HBT交流等效电路的推导 | 第19-22页 |
| 2．3 SiGe/Si HBT非本征参数的计算 | 第22-24页 |
| 2．4 本征SiGe/Si HBT与Si BJT交流等效电路的区别 | 第24-25页 |
| 2．5 其它电路部件的交流等效电路 | 第25-31页 |
| 2．6 模型准确性的验证 | 第31-34页 |
| 第三章 放大器电路形式和元件参数的确定 | 第34-41页 |
| 3．1 两级放大器各种交流组态性能分析 | 第34-37页 |
| 3．2 两级放大器交流通路形式的确定 | 第37页 |
| 3．3 两级放大器直流通路形式的确定 | 第37-38页 |
| 3．4 CB—CC组态放大器的交流性能分析 | 第38-39页 |
| 3．5 元件参数的确定方法 | 第39-41页 |
| 第四章 Si基隔离工艺和SiGe基片纵向结构的优化 | 第41-58页 |
| 4．1 初期版图及其尺寸 | 第41-43页 |
| 4．2 初期版图的寄生参数分析 | 第43-44页 |
| 4．3 TO封装的寄生参数分析 | 第44页 |
| 4．4 两级放大器交流等效电路的模拟 | 第44-49页 |
| 4．5 影响放大器增益带宽积的主要原因 | 第49-51页 |
| 4．6 Si基隔离工艺的研究 | 第51-57页 |
| 4．7 SiGe基片纵向结构的优化 | 第57-58页 |
| 第五章 SiGe基片及其生长设备和生长过程 | 第58-63页 |
| 5．1 SiGe基片纵向结构设计 | 第58-59页 |
| 5．2 MBE设备及原理 | 第59-61页 |
| 5．3 台面SiGe/Si HBT的工艺结构和性能指标 | 第61-63页 |
| 第六章 版图的设计及优化 | 第63-72页 |
| 6．1 影响版图设计的因素 | 第63-64页 |
| 6．2 正式版图的设计及尺寸 | 第64-67页 |
| 6．3 模拟计算及结果 | 第67-72页 |
| 第七章 工艺实施 | 第72-76页 |
| 7．1 工艺实施中的难点及解决方法 | 第72页 |
| 7．2 工艺实施的步骤及主要步骤的图解 | 第72-76页 |
| 结束语 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
