| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-25页 |
| ·电子辐照二氧化硅平板材料研究概况 | 第13页 |
| ·电子辐照在二氧化硅材料中形成缺陷 | 第13-15页 |
| ·缺陷形成的原因 | 第13-14页 |
| ·退火对缺陷的影响 | 第14页 |
| ·影响缺陷产生的因素 | 第14页 |
| ·缺陷与电子能量、剂量率和总剂量的关系及其观察方法 | 第14-15页 |
| ·电子辐照产生原子错位的电子能量阈值 | 第15-16页 |
| ·辐照深度计算方法 | 第16-17页 |
| ·电子辐照二氧化硅材料产生折射率变化的原因 | 第17页 |
| ·电子辐照二氧化硅平板制作光学器件 | 第17-21页 |
| ·光波导制作历史 | 第17-18页 |
| ·辐照宽度的研究 | 第18-19页 |
| ·水解沉积与热生成二氧化硅平板中制作光波导比较 | 第19-20页 |
| ·电子辐照掺锗石英光纤的研究 | 第20-21页 |
| ·电子辐照导致二氧化硅材料折射率变化的计算 | 第21-22页 |
| ·电子辐照引起折射率变化的测量 | 第22-23页 |
| ·本课题的选题意义和研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章长 周期光纤光栅制作研究概况 | 第25-38页 |
| ·光纤光栅的发展 | 第25-26页 |
| ·光纤光栅的制作方法 | 第26-33页 |
| ·光纤光栅的分类 | 第33-36页 |
| ·长周期光纤光栅的应用 | 第36-37页 |
| ·长周期光纤光栅在通信方面的应用 | 第36-37页 |
| ·长周期光纤光栅在传感方面的应用 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 光纤光栅的理论研究 | 第38-65页 |
| ·光纤中模式场理论 | 第38-43页 |
| ·光纤中的基本电磁场 | 第38-39页 |
| ·求解阶越光纤的电磁场方程 | 第39-41页 |
| ·导波模的特征方程 | 第41-42页 |
| ·弱导近似 | 第42-43页 |
| ·阶越单模光纤纤芯基模和包层模模式场的分析计算 | 第43-50页 |
| ·纤芯基模模式场解 | 第43-44页 |
| ·包层模式场解 | 第44-50页 |
| ·光纤光栅耦合模理论 | 第50-64页 |
| ·光栅谐振波长的简单估算 | 第50-57页 |
| ·光栅谐振波长的准确估计 | 第57-59页 |
| ·光谱模拟方法 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 长周期光纤光栅占空比对其光谱影响的理论分析 | 第65-73页 |
| ·纤芯折射率调制函数 | 第65-67页 |
| ·纤芯基模和包层模的有效折射率 | 第67-69页 |
| ·谐波光栅的光谱 | 第69-70页 |
| ·光栅谐振波长的位置及其漂移规律 | 第70-71页 |
| ·占空比对光栅光谱的影响及其应用 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 在光纤芯处具有最大能量沉积的辐照电子能量计算 | 第73-86页 |
| ·电子辐照二氧化硅光纤产生折射率变化 | 第73-74页 |
| ·光纤均匀介质模型近似 | 第74页 |
| ·二氧化硅的等价原子序数计算 | 第74-75页 |
| ·计算辐照电子能量沉寂的公式和方法 | 第75-76页 |
| ·辐照能量背向散射系数 | 第76-77页 |
| ·辐照电子入射产生光子的系数 | 第77页 |
| ·入射电子在二氧化硅中的连续穿透深度及外推范围计算 | 第77-80页 |
| ·电子连续穿透深度的计算 | 第78-79页 |
| ·电子外推范围的计算 | 第79-80页 |
| ·能量沉积计算机模拟 | 第80-81页 |
| ·纤芯处能量沉积最多时所需电子初始能量的计算 | 第81页 |
| ·碰撞和韧致辐射导致的能量沉积比较 | 第81-82页 |
| ·讨论 | 第82-84页 |
| ·入射电子在深度z处的能量 | 第82-83页 |
| ·数量传输系数 | 第83-84页 |
| ·对用电子辐照法制作长周期光纤光栅实验研究的几点考虑 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 结论 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-98页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100页 |
