| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-27页 |
| ·半导体材料的简介 | 第11-13页 |
| ·半导体材料分类和结构 | 第11-12页 |
| ·半导体材料的物理基础 | 第12页 |
| ·半导体的光学性质 | 第12-13页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第13-17页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第13页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第13-14页 |
| ·溅射法 | 第14页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第14-15页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第15页 |
| ·电沉积法 | 第15-17页 |
| ·薄膜表征方法 | 第17-23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第17-18页 |
| ·X射线粉末衍射法(XRD) | 第18-19页 |
| ·紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第19-20页 |
| ·X射线能量色散谱(EDS) | 第20-21页 |
| ·光致发光(PL) | 第21-22页 |
| ·线性扫描伏安法 | 第22-23页 |
| ·论文的选题思想和主要内容 | 第23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 具有优先取向的CuBr机理分析 | 第27-40页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·实验部分 | 第28-29页 |
| ·试剂及仪器 | 第28页 |
| ·ITO基体的前期处理 | 第28页 |
| ·实验步骤 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-34页 |
| ·不同pH值对CuBr晶体生长影响 | 第29-31页 |
| ·不同沉积电压对CuBr晶体生长影响 | 第31-32页 |
| ·不同沉积时间对CuBr晶体生长影响 | 第32-33页 |
| ·不同沉积温度对CuBr晶体生长影响 | 第33-34页 |
| ·机理分析 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 第三章 氨基酸对电沉积CuBr薄膜的取向生长及形貌的影响 | 第40-55页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验部分 | 第41页 |
| ·试剂及仪器 | 第41页 |
| ·ITO基体的前期处理 | 第41页 |
| ·实验步骤 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-51页 |
| ·CuBr_2水溶液的电化学行为 | 第41-43页 |
| ·CuBr的XRD比较 | 第43-44页 |
| ·CuBr的SEM | 第44-45页 |
| ·氨基酸调控CuBr晶体取向的机理分析 | 第45-47页 |
| ·CuBr的荧光发光性能与其结构的关系 | 第47-48页 |
| ·不同浓度的组氨酸对CuBr形貌的影响 | 第48-49页 |
| ·不同沉积电压对CuBr形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·不同沉积电量对CuBr形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 电沉积一步法制备具有高取向的CuI晶体 | 第55-73页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验部分 | 第56页 |
| ·试剂及仪器 | 第56页 |
| ·CuI的电化学沉积 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-70页 |
| ·CuI薄膜的循环伏安曲线 | 第56-58页 |
| ·CuI薄膜的XRD表征 | 第58页 |
| ·CuI薄膜的EDS表征 | 第58-59页 |
| ·CuI薄膜的SEM表征 | 第59-60页 |
| ·CuI薄膜的PL表征 | 第60-61页 |
| ·CuI薄膜的UV-Vis表征 | 第61-63页 |
| ·沉积时间对CuI薄膜晶体取向和形貌影响 | 第63-66页 |
| ·pH值对CuI薄膜晶体取向和形貌影响 | 第66-67页 |
| ·沉积温度对CuI薄膜晶体取向和形貌影响 | 第67-69页 |
| ·沉积机理 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表及已投稿的学术论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |