| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| (一) 湿法刻蚀 | 第9页 |
| (二) 混合刻蚀 | 第9页 |
| (三) 金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法 | 第9-10页 |
| (四) 自组织液相外延方法 | 第10页 |
| (五) 选择液相外延方法 | 第10-13页 |
| 2 GaAs微探尖阵列的制备 | 第13-25页 |
| ·SiO_2掩膜的制备 | 第13-16页 |
| ·液相沉积法制备SiO_2薄膜 | 第13-15页 |
| ·磁控溅射法制备SiO_2薄膜 | 第15-16页 |
| ·光刻与腐蚀 | 第16-18页 |
| ·微探尖的选择液相外延生长 | 第18-25页 |
| ·选择液相外延法生长GaAs微探尖的原理 | 第18-21页 |
| ·GaAs微探尖生长源的配置 | 第21-22页 |
| ·GaAs微探尖的制备工艺 | 第22-25页 |
| 3 GaAs微探尖的转移 | 第25-29页 |
| ·浓HCl对Al_(0.7)Ga_(0.3)As层选择腐蚀速率的测定 | 第25页 |
| ·浓HCl选择腐蚀Al_(0.7)Ga_(0.3)As法转移微探尖 | 第25-29页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第29-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |