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声子参与的双势垒隧穿的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第8-10页
   ·引言第8-9页
   ·本文的主要工作第9-10页
2 介观结构的隧穿现象第10-24页
   ·介观隧穿结构第10-13页
     ·平面势垒结构的隧穿现象第10-11页
     ·半导体量子阱第11-13页
   ·相干共振隧穿和非相干共振隧穿第13-24页
     ·相干共振隧穿第13-18页
     ·非相干共振隧穿第18-24页
3 介观电子输运的理论模型及研究方法第24-36页
   ·传输矩阵方法第24-27页
   ·模匹配方法第27-29页
   ·Green 函数方法第29-33页
   ·Boltzmann 方程第33-36页
4 声子参与的双势垒隧穿第36-52页
   ·电子—声子相互作用第36-40页
     ·相互作用过程第36页
     ·电子—声频支声子相互作用第36-38页
     ·电子—光频支声子相互作用第38-40页
   ·本文的理论模型及方法第40-44页
   ·透射几率计算第44-50页
     ·共振隧穿透射几率计算第44-47页
     ·声子辅助隧穿透射几率计算第47-50页
   ·数值计算结果与分析第50-52页
5 总结与展望第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-56页

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