| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8-12页 |
| ·通信、计算机等现代信息产业的发展引起电子信息材料研究的热潮 | 第8-9页 |
| ·低维纳米材料成为研究信息材料的热点 | 第9-10页 |
| ·宽禁带半导体材料成为制备高性能器件的重要材料 | 第10-12页 |
| ·计算机模拟已成为研究材料特性的强有力手段 | 第12页 |
| ·SiC 纳米材料的研究现状 | 第12-13页 |
| ·SiC 的基本性质 | 第12-13页 |
| ·SiC 纳米结构的理论研究 | 第13页 |
| ·选题目的和意义 | 第13-14页 |
| ·研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第15-27页 |
| ·第一性原理理论 | 第15-23页 |
| ·Born－Oppenheimer 绝热近似 | 第16-17页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第17-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-23页 |
| ·第一性原理分子动力学理论基础 | 第23-26页 |
| ·计算材料学的内容和层次划分 | 第26-27页 |
| 第三章 SiC 纳米管热稳定性质的第一性原理分子动力学研究 | 第27-32页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·计算方法 | 第27-28页 |
| ·结果和讨论 | 第28-32页 |
| 第四章 SiC 纳米结构电子性质的第一性原理研究 | 第32-37页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·计算方法 | 第32-33页 |
| ·结果和结论 | 第33-37页 |
| 第五章 挛晶SiC 纳米线电子性质的第一性原理研究 | 第37-44页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·计算方法 | 第38-39页 |
| ·结果和结论 | 第39-44页 |
| 第六章 主要结论 | 第44-46页 |
| ·全文总结 | 第44-45页 |
| ·本论文的创新 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-55页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第55-56页 |
