摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
图表索引 | 第10-12页 |
符号 | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第13-33页 |
·有机/无机纳米杂化材料 | 第13-15页 |
·有机/无机纳米杂化材料特点 | 第13页 |
·有机/无机纳米杂化材料的界面特性 | 第13-15页 |
·有机/无机纳米杂化材料制备 | 第15-18页 |
·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第15-17页 |
·原位聚合法(in situ polymerization) | 第17页 |
·层间插入法(intercalation) | 第17-18页 |
·共混法(mixing) | 第18页 |
·聚酰亚胺结构与性能 | 第18-21页 |
·聚酰亚胺结构 | 第18-20页 |
·聚酰亚胺性能 | 第20-21页 |
·聚酰亚胺改性 | 第21页 |
·有机-无机纳米杂化材料的结构表征 | 第21-22页 |
·振动光谱法 | 第21-22页 |
·小角X射线散射 | 第22页 |
·电子显微镜 | 第22页 |
·固体电介质击穿理论 | 第22-27页 |
·固体电介质击穿类型和特点 | 第23页 |
·晶体击穿理论 | 第23-24页 |
·高聚物击穿理论 | 第24-26页 |
·空间电荷理论 | 第26-27页 |
·分形 | 第27-28页 |
·扩散限制的凝聚(DLA)模型 | 第27页 |
·动力学集团凝聚(KCA)模型 | 第27-28页 |
·扩散与化学限制凝聚(DCLA)模型 | 第28页 |
·高分子的分形模型 | 第28页 |
·分形在材料研究的应用 | 第28页 |
·本文研究目的及主要研究内容 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-33页 |
第二章 实验方法及材料 | 第33-37页 |
·实验材料 | 第33页 |
·Dupont薄膜 | 第33页 |
·无机纳米聚酰亚胺薄膜制备 | 第33页 |
·高电场击穿试验 | 第33-34页 |
·热刺激电流(TSC)谱和电致发光(EL)谱测量 | 第34-35页 |
·热刺激电流(TSC)谱 | 第34-35页 |
·电致发光(EL)谱 | 第35页 |
·薄膜显微结构分析 | 第35页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第35页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
·薄膜物相及成分分析 | 第35-37页 |
·X-射线衍射(XRD)分析 | 第36页 |
·小角X-射线散射(SAXS)分析 | 第36页 |
·薄膜成分分析 | 第36-37页 |
第三章 Materials-studio软件及相关模块简介 | 第37-42页 |
·Materials-studio软件简介 | 第37页 |
·建模与几何结构和电子结构模块 | 第37-38页 |
·Materials Visualizer模块 | 第37页 |
·VAMP模块和DMol3模块 | 第37-38页 |
·Reflex模块 | 第38页 |
·性能预测模块 | 第38-39页 |
·Amorphous Cell模块 | 第38页 |
·Discover模块 | 第38-39页 |
·Forcite模块 | 第39页 |
·分子动力学模拟 | 第39-40页 |
·分子动力学模拟基本原理 | 第39页 |
·分子动力学模拟方法 | 第39-40页 |
·分子动力学模拟步骤 | 第40页 |
参考文献 | 第40-42页 |
第四章 纳米杂化聚酰亚胺薄膜结构与性能模拟 | 第42-60页 |
·聚酰亚胺几何结构和电子结构 | 第42-45页 |
·聚酰亚胺几何结构 | 第42-44页 |
·聚酰亚胺电子结构 | 第44-45页 |
·PI/SiO_2几何结构与电子结构 | 第45-46页 |
·PI/SiO_2几何结构 | 第45-46页 |
·PI/SiO_2电子结构 | 第46页 |
·PI封装及系统优化 | 第46-50页 |
·创建PI聚合物 | 第46-48页 |
·PI能量优化 | 第48页 |
·PI几何优化 | 第48-49页 |
·其他优化 | 第49-50页 |
·PI封装模型内聚能密度和溶解度参数 | 第50页 |
·建立PI表面及α-Al_2O_3和SiO_2表面模型 | 第50-55页 |
·Al_2O_3结构 | 第50-51页 |
·建α-Al_2O_3和SiO_2(012)晶面模型 | 第51-52页 |
·PI/α-Al_2O_3和PI/SiO_2表面模型 | 第52-53页 |
·α-Al_2O_3和PI/SiO_2表面与PI表面结合能 | 第53-54页 |
·H原子对复合薄膜体系的影响 | 第54-55页 |
·PI/α-Al_2O_3和PI/SiO_2系统能量 | 第55-58页 |
·PI能量 | 第55-56页 |
·PI/α-Al_2O_3和PI/SiO_2纳米复合薄膜模型 | 第56-57页 |
·PI/α-Al_2O_3和PI/SiO_2能量 | 第57-58页 |
·本章小结 | 第58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第五章 纳米杂化聚酰亚胺薄膜显微结构及颗粒稳定性 | 第60-81页 |
·溶胶-凝胶法制备薄膜显微结构与颗粒稳定性 | 第60-68页 |
·薄膜表面形貌和显微结构 | 第60-62页 |
·薄膜成分及相结构 | 第62-64页 |
·纳米颗粒稳定性 | 第64-68页 |
·Dupont掺杂薄膜显微结构与颗粒稳定性 | 第68-74页 |
·薄膜表面形貌与显微结构 | 第68-71页 |
·薄膜成分与相结构 | 第71-73页 |
·纳米颗粒稳定性 | 第73-74页 |
·纳米杂化PI薄膜分形特征 | 第74-79页 |
·小角X射线散射原理 | 第74-75页 |
·溶胶-凝胶制备薄膜的分形特征 | 第75-77页 |
·Dupont 100CR薄膜分形特征 | 第77-78页 |
·纳米颗粒回旋半径 | 第78-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-81页 |
第六章 两种PI薄膜高电场击穿孔显微结构及击穿机理分析 | 第81-103页 |
·纳米杂化PI薄膜击穿孔显微结构及元素分布 | 第81-86页 |
·击穿孔附近显微结构 | 第81-85页 |
·击穿孔区及正常区元素分布 | 第85-86页 |
·Cu电极作用 | 第86页 |
·普通PI薄膜击穿孔显微结构及元素分布 | 第86-89页 |
·场发射理论 | 第89-90页 |
·金属体场发射理论 | 第89页 |
·半导体场发射理论 | 第89页 |
·纳米体系场发射理论 | 第89-90页 |
·两种薄膜热刺激电流谱和电致发光谱 | 第90-93页 |
·两种薄膜热刺激电流谱 | 第90-91页 |
·两种薄膜电致发光谱 | 第91-92页 |
·杂化薄膜的介电特性 | 第92-93页 |
·纳米杂化PI薄膜击穿机理 | 第93-97页 |
·热击穿 | 第93-94页 |
·电介质极化 | 第94-95页 |
·普通PI薄膜电场分布 | 第95-96页 |
·杂化PI薄膜电场分布 | 第96-97页 |
·无机纳米颗粒作用及丝状孔的形成 | 第97-99页 |
·无机纳米颗粒的作用 | 第97-98页 |
·丝状孔的形成 | 第98-99页 |
·本章小结 | 第99-100页 |
参考文献 | 第100-103页 |
结论 | 第103-104页 |
致谢 | 第104-105页 |
攻读博士期间发表的论文 | 第105-106页 |
博士后期间发表的学术论文 | 第106-108页 |
个人简历 | 第108-109页 |
永久通信地址 | 第109页 |