| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-16页 |
| ·半导体激光器的进展 | 第7-11页 |
| ·大功率半导体激光器的概况及应用 | 第11-16页 |
| 第二章 光放大器及半导体激光器的原理及特性 | 第16-38页 |
| ·激光原理 | 第16-21页 |
| ·光放大器的工作原理及特性参数 | 第21-27页 |
| ·半导体激光器的工作原理 | 第27-33页 |
| ·半导体激光器的输出特性 | 第33-38页 |
| 第三章 InGaAsP／InP功率放大激光器的研究 | 第38-50页 |
| ·InGaAsP／InP双异质结激光器介绍 | 第38-39页 |
| ·器件的工艺流程研究 | 第39-40页 |
| ·分子束外延生长 | 第40-43页 |
| ·InGaAsP／InP外延片的结构 | 第43-44页 |
| ·InGaAsP／InP器件的理想结构模型 | 第44-45页 |
| ·InGaAsP／InP器件外部工艺设想 | 第45页 |
| ·InGaAsP／InP器件的设计原理及理论证明 | 第45-50页 |
| 第四章 InGaAsP／InP器件在列阵中的应用 | 第50-53页 |
| ·InGaAsP／InP器件性能的优点分析 | 第50页 |
| ·大功率激光器列阵的关键技术 | 第50-52页 |
| ·InGaAsP／InP器件应用在列阵上的优点 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |