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一维光子晶体禁带结构及缺陷模耦合特性研究

中文摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-23页
 §1.1 光子晶体的概念第8-10页
 §1.2 光子晶体的发展概述第10-12页
 §1.3 光子晶体的研究方法第12-14页
 §1.4 光子晶体的结构及制作工艺第14-17页
 §1.5 光子晶体的基本特性及其应用第17-21页
 §1.6 本课题的主要内容和创新点第21-23页
第二章 光子晶体的理论研究基础第23-30页
 §2.1 本征方程的推导第23-25页
 §2.2 传输特性矩阵的推导第25-27页
 §2.3 传输特性矩阵在一维光子晶体中的计算应用第27-30页
第三章 单层替代缺陷一维光子晶体缺陷模特性分析第30-42页
 §3.1 一维光子晶体的两种缺陷形式第30-32页
 §3.2 单层替代缺陷一维光子晶体的计算模型第32-33页
 §3.3 中间替代层折射率对缺陷模频率的影响第33-37页
 §3.4 替代缺陷层复折射率对缺陷模的影响第37-41页
 §3.5 结论第41-42页
第四章 一维双缺陷光子晶体两缺陷模的简并与分裂特性研究第42-51页
 §4.1 一维双缺陷光子晶体研究的理论基础第42-44页
 §4.2 数值模拟计算结果与分析第44-48页
 §4.3 一维多缺陷光子晶体的透射谱特性研究第48-49页
 §4.4 结论第49-51页
总结第51-52页
参考文献第52-57页
附录一 攻读硕士期间发表的论文第57-58页
附录二 致谢第58页

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