| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·AlInN 的结构和性质 | 第9-18页 |
| ·晶体结构 | 第9-11页 |
| ·表面形貌 | 第11-12页 |
| ·温度的影响 | 第12-13页 |
| ·能带结构 | 第13-14页 |
| ·光学特性 | 第14-16页 |
| ·电学特性 | 第16-17页 |
| ·几种AlInN HEMT 机制 | 第17-18页 |
| ·面临的问题 | 第18-19页 |
| ·AlN/InN 和AlN/GaN 超晶格的研究背景及意义 | 第19-20页 |
| ·本文所研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 AlInN 薄膜生长与测试方法 | 第21-33页 |
| ·AlInN 生长 | 第21-24页 |
| ·制备方法 | 第21-22页 |
| ·衬底和缓冲层的作用 | 第22-24页 |
| ·磁控溅射镀膜原理 | 第24-26页 |
| ·磁控溅射（Magnetron sputtering） | 第24页 |
| ·反应式磁控溅射（Reactive magnetron sputtering） | 第24-25页 |
| ·射频磁控溅射（RF-magnetron sputtering） | 第25页 |
| ·共溅射（Co-sputtering） | 第25-26页 |
| ·制膜系统与测试方法 | 第26-28页 |
| ·磁控溅射设备 | 第26-28页 |
| ·靶材 | 第28页 |
| ·衬底 | 第28页 |
| ·样品测试与分析方法 | 第28-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第28-30页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第30-31页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第31页 |
| ·能量色散X 荧光光谱（EDX） | 第31页 |
| ·四探针法与Hall 测量 | 第31-33页 |
| 第三章 AlInN 薄膜生长于质量改进研究 | 第33-50页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·薄膜制备 | 第33-35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-50页 |
| ·结构与成分 | 第35-42页 |
| ·形貌 | 第42-46页 |
| ·应变与组分 | 第46-48页 |
| ·电学特性 | 第48页 |
| ·相关研究 | 第48-50页 |
| 第四章 AlN/InN 与AlN/GaN 超晶格能带结构研究 | 第50-66页 |
| ·计算方法 | 第50-51页 |
| ·能带结构讨论 | 第51-66页 |
| ·无应变情形 | 第51-56页 |
| ·有应变情形 | 第56-64页 |
| ·模拟三元合金 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 在校期间的科研成果 | 第77页 |
