| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| ·研究意义和课题背景 | 第10-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 密集波分复用系统(DWDM)及相关技术概述 | 第13-25页 |
| ·DWDM系统技术原理及应用现状 | 第13-15页 |
| ·用于DWDM系统的解复用技术概述 | 第15-18页 |
| ·用于DWDM系统的接收技术概述 | 第18-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 基于双结PIN的RCE光探测器的性能研究 | 第25-44页 |
| ·多结PIN探测器概述 | 第25-28页 |
| ·双结PIN-RCE光探测器的性能分析 | 第28-37页 |
| ·双结PIN-RCE光探测器的结构 | 第29-30页 |
| ·双结PIN-RCE光探测器的性能分析 | 第30-37页 |
| ·双层结构RCE光探测器的优化设计 | 第37-43页 |
| ·优化过程 | 第37-41页 |
| ·优化结果 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 双结PIN可调谐光探测器 | 第44-58页 |
| ·F-P腔的调谐机理 | 第44-48页 |
| ·F-P腔的传输特性分析 | 第44-47页 |
| ·F-P腔热光调谐机理 | 第47-48页 |
| ·利用DBR作为F-P腔反射镜的性能研究 | 第48-53页 |
| ·薄膜介质的传输矩阵推导 | 第49-50页 |
| ·影响DBR作为反射镜的F-P腔光谱透射的因素 | 第50-53页 |
| ·双结PIN可调谐光探测器的理论分析 | 第53-57页 |
| ·器件结构 | 第53-55页 |
| ·量子效率和高速响应 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 第五章 改进电极的PIN探测器及双结PIN RCE探测器的制备与性能测试 | 第58-74页 |
| ·半导体光电子工艺简介 | 第58-61页 |
| ·异质外延生长 | 第58-59页 |
| ·光刻工艺 | 第59-60页 |
| ·腐蚀工艺 | 第60页 |
| ·金属镀膜工艺 | 第60-61页 |
| ·改进电极的PIN光探测器实验制备及测试结果 | 第61-68页 |
| ·外延片生长结构 | 第61-62页 |
| ·后工艺制备过程 | 第62-66页 |
| ·高速响应性能测试 | 第66-68页 |
| ·GSG电极的双结RCE光探测器的制备及性能测试 | 第68-73页 |
| ·器件结构 | 第68-69页 |
| ·后工艺制备 | 第69-71页 |
| ·测试结果 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第82页 |