| 中文摘要 | 第1-12页 |
| 英文摘要 | 第12-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-43页 |
| ·前言 | 第17-18页 |
| ·有序聚集态结构与分子自组装 | 第18-22页 |
| ·嵌段聚合物与微相分离行为 | 第22-24页 |
| ·嵌段聚合物分子自组装 | 第24-29页 |
| ·前人工作小结 | 第29-32页 |
| ·本文拟开展的工作 | 第32-35页 |
| ·用于自组装的嵌段共聚物设计中的热力学 | 第32-34页 |
| ·研究内容 | 第34-35页 |
| ·参考文献 | 第35-43页 |
| 第二章 含 Poly(4-hydroxystyrene)嵌段的二嵌段及三嵌段共聚物的阴离子合成 | 第43-72页 |
| ·前言 | 第43-47页 |
| ·实验部分 | 第47-49页 |
| ·原料及预处理 | 第47-48页 |
| ·实验装置 | 第48-49页 |
| ·嵌段聚合物合成步骤 | 第49-50页 |
| ·阴离子聚合反应 | 第49-50页 |
| ·脱去特丁基反应 | 第50页 |
| ·实验结果与讨论 | 第50-53页 |
| ·产物的表征 | 第53-68页 |
| ·分子量及分子量分布 | 第53-57页 |
| ·红外光谱分析 | 第57-65页 |
| ·DSC 热分析 | 第65-66页 |
| ·NMR 分析 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| ·参考文献 | 第69-72页 |
| 第三章 二嵌段聚合物聚(4-羟基苯乙烯-b-异戊二烯)(P(HSt-b-I))在二维有限界面的自组装行为 | 第72-124页 |
| ·前言 | 第72-73页 |
| ·二维有限界面嵌段聚合物自组装的实验部分 | 第73-82页 |
| ·二维有限界面的自组装方式 | 第73-75页 |
| ·二维有限界面(基底)的选择 | 第75-76页 |
| ·二维有限界面嵌段聚合物自组装图案结构样品的制备 | 第76-82页 |
| ·二维有限界面聚(4-羟基苯乙烯-b-异戊二烯)自组装表面图案化的结果与讨论 | 第82-114页 |
| ·忽略表面自由能差异和相边界能对图案化结构的影响 | 第82页 |
| ·本文研究中影响形成图案化有序结构的因素 | 第82-114页 |
| ·不含羟基的二嵌段聚合物在二维有限界面的相态行为 | 第83-91页 |
| ·含羟基的二嵌段聚合物在二维有限界面的相态行为 | 第91-114页 |
| ·模型的建立 | 第114-117页 |
| ·本章小结 | 第117-118页 |
| ·参考文献 | 第118-124页 |
| 第四章 三嵌段聚合物聚(4-羟基苯乙烯-b-异戊二烯-b-八甲基环四硅氧烷)(P(HSt-b-I-b-D4))在二维有限界面自组装导致的有序结构 | 第124-136页 |
| ·前言 | 第124-125页 |
| ·实验部分 | 第125页 |
| ·P(HSt-b-I-b-D4)在二维有限界面的自组装相态行为 | 第125-134页 |
| ·溶剂为THF的自组装相态行为 | 第125-132页 |
| ·溶剂为乙腈的自组装相态行为 | 第132-134页 |
| ·本章小结 | 第134页 |
| ·参考文献 | 第134-136页 |
| 第五章 结果与展望 | 第136-145页 |
| ·本文取得的主要成果 | 第136-141页 |
| ·对下阶段工作的展望 | 第141-143页 |
| ·嵌段聚合物分子的设计 | 第141-142页 |
| ·外加力场的考虑 | 第142-143页 |
| ·理论计算与计算机理论模拟 | 第143页 |
| ·参考文献 | 第143-145页 |
| 简历 | 第145-147页 |
| 致谢 | 第147-148页 |
| 声明 | 第148页 |
