摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-38页 |
·引言 | 第9-11页 |
·光纤通信系统 | 第9-10页 |
·微机电系统 | 第10-11页 |
·光学与微机电系统的结合 | 第11页 |
·光学滤波器概述 | 第11-18页 |
·棱镜型光学滤波器 | 第12页 |
·衍射光栅型光学滤波器 | 第12-13页 |
·干涉光滤波器 | 第13-14页 |
·F-P腔滤波器 | 第14-18页 |
·利用F-P腔结构的MEMS器件 | 第18-34页 |
·腔长可调滤波器 | 第18-26页 |
·角度可调滤波器 | 第26-27页 |
·折射率可调滤波器 | 第27-28页 |
·F-P腔结构的传感器 | 第28-34页 |
·本论文的工作 | 第34-38页 |
·本论文的目的和意义 | 第34-36页 |
·本论文的创新点 | 第36页 |
·论文内容 | 第36-38页 |
第二章 F-P干涉仪与光学介质薄膜相关理论 | 第38-69页 |
·传统的F-P干涉仪光学特性 | 第38-51页 |
·多光束干涉原理 | 第38-41页 |
·重要的特性参量 | 第41-44页 |
·有限数目的光束干涉初步分析 | 第44-51页 |
·光学介质薄膜的反射率与反射相移 | 第51-67页 |
·光在薄膜界面间传播的基本性质 | 第51-55页 |
·矩阵法计算多层介质薄膜光学参数 | 第55-58页 |
·四分之一波堆高反射介质膜 | 第58-64页 |
·单层减反射膜 | 第64-67页 |
·本章小结 | 第67-69页 |
第三章 短腔长F-P干涉仪光学特性研究 | 第69-83页 |
·正入射条件下的自由谱域缩短效应 | 第69-71页 |
·正入射条件下半波宽的变化 | 第71-72页 |
·斜入射条件下光学特性参量的变化 | 第72-80页 |
·透射率谱线的移动与偏振光的分离 | 第72-74页 |
·自由谱域缩短 | 第74-77页 |
·半波宽的变化 | 第77页 |
·精细因子的变化 | 第77-80页 |
·反射相移和色散对滤波器可调范围的影响 | 第80-82页 |
·正入射下腔长变化调节透射峰波长 | 第80-81页 |
·改变入射角调节透射峰波长 | 第81-82页 |
·本章小结 | 第82-83页 |
第四章 可调滤波器的光学设计与结构设计 | 第83-94页 |
·可调光学滤波器光学设计 | 第84-87页 |
·光通信中光学滤波器的指标要求 | 第84页 |
·可调滤波器中的缺陷 | 第84-85页 |
·光学参数的确定 | 第85-87页 |
·压电材料和驱动方式 | 第87-88页 |
·可调光学滤波器结构设计 | 第88-93页 |
·压电驱动可调滤波器结构 | 第88-90页 |
·阻挡块的作用 | 第90-91页 |
·结构参数选取 | 第91-93页 |
·本章小结 | 第93-94页 |
第五章 制备阻挡块结构的关键工艺研究 | 第94-119页 |
·湿法腐蚀工艺制备阻挡块 | 第94-107页 |
·工艺制备步骤 | 第94-96页 |
·相关工艺条件与参数监控 | 第96-102页 |
·光学测试 | 第102-105页 |
·测试结果分析 | 第105-106页 |
·自由谱域缩短效应的验证 | 第106-107页 |
·选择性外延工艺制备阻挡块 | 第107-118页 |
·工艺制备步骤 | 第108-110页 |
·选择性外延生长实验现象与分析 | 第110-115页 |
·生长速率的测定 | 第115-116页 |
·多晶硅和边线上外延突起结构的腐蚀 | 第116页 |
·光学测试与分析 | 第116-118页 |
·本章小结 | 第118-119页 |
第六章 利用SOI硅片制备可调滤波器芯片及测试分析 | 第119-137页 |
·下镜面工艺制备 | 第119-126页 |
·工艺制备步骤 | 第119-121页 |
·SOI硅片材料 | 第121-124页 |
·带有阻挡块结构平面上的光刻 | 第124-125页 |
·氮化硅的作用与刻蚀表面 | 第125-126页 |
·硬掩模溅射铝工艺 | 第126页 |
·上镜面工艺制备 | 第126-130页 |
·工艺制备步骤 | 第126-127页 |
·上电极的引出设计 | 第127-130页 |
·器件组装 | 第130-132页 |
·器件的测试与分析 | 第132-136页 |
·镜面反射率 | 第132页 |
·器件测试系统 | 第132-134页 |
·测试结果 | 第134页 |
·结果分析与讨论 | 第134-136页 |
·本章小结 | 第136-137页 |
第七章 总结 | 第137-138页 |
参考文献 | 第138-144页 |
攻读博士学位期间的文章和专利 | 第144-145页 |
致谢 | 第145-146页 |
作者简历 | 第146-147页 |