| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-34页 |
| 1．1 化学气相沉积介绍 | 第11-14页 |
| 1．1．1 化学气相沉积简短历史回顾 | 第11-12页 |
| 1．1．2 化学气相沉积的技术原理 | 第12-14页 |
| 1．2 硅基薄膜材料的结构特点 | 第14-29页 |
| 1．2．1 氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜 | 第14-21页 |
| 1．2．2 SiC薄膜 | 第21-29页 |
| 1．3 本论文研究内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第2章 Cat-CVD法和MW-ECRCVD技术 | 第34-51页 |
| 2．1 触媒化学气相沉积（Cat-CVD）法 | 第34-36页 |
| 2．1．1 Cat-CVD法发展简史 | 第34页 |
| 2．1．2 Cat-CVD法沉积特性 | 第34-35页 |
| 2．1．3 Cat-CVD法制备Si系薄膜材料 | 第35页 |
| 2．1．4 Cat-CVD技术亟待解决的问题 | 第35-36页 |
| 2．2 MW-ECRCVD技术 | 第36-48页 |
| 2．2．1 MW-ECR原理 | 第36-43页 |
| 2．2．2 ECR等离子体沉积系统介绍 | 第43-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第3章 Cat-CVD法制备SiC薄膜 | 第51-86页 |
| 3．1 热丝参数对衬底温度的影响 | 第51-58页 |
| 3．2 实验方法 | 第58-60页 |
| 3．2．1 沉积系统介绍 | 第58-59页 |
| 3．2．2 钨丝的处理 | 第59页 |
| 3．2．3 实验条件 | 第59-60页 |
| 3．3 结果与讨论 | 第60-80页 |
| 3．3．1 衬底到热丝距离的影响 | 第60-64页 |
| 3．3．2 钨丝温度的影响 | 第64-67页 |
| 3．3．3 气体比例的影响 | 第67-68页 |
| 3．3．4 工作气压的影响 | 第68-71页 |
| 3．3．5 氢气比例的影响 | 第71-73页 |
| 3．3．6 衬底负偏压的影响 | 第73-77页 |
| 3．3．7 碳化过渡层的影响 | 第77-80页 |
| 3．4 Cat-CVD低温生长SiC薄膜的机理探讨 | 第80-82页 |
| 3．5 本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第4章 MW-ECRCVD法制备a-Si:H薄膜 | 第86-123页 |
| 4．1 系统等离子体测试 | 第87-95页 |
| 4．2 实验方法 | 第95-98页 |
| 4．2．1 沉积系统 | 第95-98页 |
| 4．2．2 实验条件 | 第98页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第98-120页 |
| 4．3．1 H2/SiH4稀释比与a-Si:H薄膜 | 第98-103页 |
| 4．3．2 衬底位置与a-Si:H薄膜 | 第103-106页 |
| 4．3．3 衬底温度与a-Si:H薄膜 | 第106-110页 |
| 4．3．4 衬底温度对薄膜中氢含量的影响 | 第110-117页 |
| 4．3．5 衬底温度对薄膜光学带隙的影响 | 第117-120页 |
| 4．4 本章小结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-123页 |
| 结论 | 第123-124页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126页 |