IGBT串联高压应用组件的研制
第1章 概述 | 第1-9页 |
1.1 研究背景及意义 | 第7页 |
1.2 国内外发展情况 | 第7-8页 |
1.3 本论文研究的主要目的及内容 | 第8-9页 |
第2章 IGBT常见特性和参数介绍 | 第9-16页 |
第3章 IGBT组件的散热技术 | 第16-31页 |
3.1 散热原理 | 第17-20页 |
3.2 IGBT及快恢复二极管的功率损耗的计算 | 第20-27页 |
3.3 散热措施及散热器的选配 | 第27-31页 |
第4章 IGBT组件中RCD缓冲及保护电路的设计 | 第31-37页 |
4.1 IGBT在关断过程中吸收电路的作用 | 第31-34页 |
4.2 缓冲电路中的阻容和功耗 | 第34页 |
4.3 过电流保护 | 第34-37页 |
第5章 IGBT的串联 | 第37-46页 |
5.1 影响串联运行的因素 | 第37-38页 |
5.2 IGBT串联的静态均压 | 第38-40页 |
5.3 IGBT串联的动态均压 | 第40-46页 |
第6章 IGBT串联组件及应用 | 第46-53页 |
6.1 串联IGBT组件电路原理 | 第46-49页 |
6.2 复合型栅极控制均压电路的设计考虑 | 第49页 |
6.3 实验结果 | 第49-53页 |
第7章 实验和试验结论 | 第53-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-56页 |