| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·气体传感器的国内外研究现状 | 第11-16页 |
| ·传感器的重要性 | 第11页 |
| ·半导体气体传感器主要参数特性要求 | 第11-12页 |
| ·国外气敏传感器的研究现状 | 第12页 |
| ·国内气敏传感器的现状与差距 | 第12-14页 |
| ·当前气体传感器存在的问题 | 第14-15页 |
| ·气体传感器的技术发展趋势 | 第15-16页 |
| ·纳米材料的研究概述 | 第16-17页 |
| ·纳米ABO_3 型气敏材料的研究概述 | 第17-25页 |
| ·ABO_3 钙钛矿型结构特点及应用简介 | 第17-19页 |
| ·ABO_3 钙钛矿型气敏材料的纳米晶粒的制备方法 | 第19-22页 |
| ·ABO_3 钙钛矿型气敏膜的制备方法 | 第22页 |
| ·ABO_3 钙钛矿型气敏材料敏感性能举例 | 第22-23页 |
| ·影响气敏性能的因素 | 第23-24页 |
| ·ABO_3 钙钛矿型气敏材料的研究的趋势 | 第24-25页 |
| ·本课题的研究意义、内容及目的 | 第25-26页 |
| 2 高纯度ZnSnO_3 纳米粉体制备工艺 | 第26-39页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验 | 第26-29页 |
| ·高纯度纳米ZnSnO_3 及气敏元件的制备 | 第26-28页 |
| ·表征及测试 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-33页 |
| ·实验反应过程分析 | 第29-31页 |
| ·热分析曲线分析 | 第31页 |
| ·物相及微观结构分析 | 第31-33页 |
| ·实验 | 第33-34页 |
| ·高纯度纳米ZnSnO_3 制备方法的改进 | 第33-34页 |
| ·表征及测试 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 3 ZnSnO_3 的酒敏性能的研究 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验 | 第39页 |
| ·气敏元件的制备 | 第39页 |
| ·表征及测试 | 第39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-44页 |
| ·不同的添加剂对乙醇灵敏度的影响 | 第39-40页 |
| ·乙醇浓度对金属氧化物掺杂的ZnSnO_3 灵敏度的影响 | 第40-41页 |
| ·掺杂量对灵敏度的影响 | 第41-42页 |
| ·工作周期对灵敏度的影响 | 第42-43页 |
| ·ZnSnO_3 传感器的工作温度 | 第43页 |
| ·含有La203 添加剂的传感器的电压特性 | 第43-44页 |
| ·金属氧化物掺杂传感器的选择性 | 第44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 4 ZnSnO_3 的氢敏性能的研究 | 第45-51页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·PdCl_2 的掺杂和传感器的制备 | 第45页 |
| ·表征及测试 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-50页 |
| ·PdCl_2 的掺入对灵敏度的影响 | 第46-47页 |
| ·PdCl_2 的掺入对选择性的影响 | 第47-48页 |
| ·最佳工作温度测定 | 第48页 |
| ·含有PdCl_2 添加剂的传感器的电压特性 | 第48-49页 |
| ·SEM 分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 5 ZnSnO_3 的气敏机理模型研究 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·灵敏度和气体浓度的关系 | 第51页 |
| ·灵敏度和工作温度的关系 | 第51页 |
| ·有关选择性的实验及其结果 | 第51-52页 |
| ·有关稳定性的实验结果 | 第52页 |
| ·气敏作用机理和模型的研究现状 | 第52-54页 |
| ·晶界势垒控制模型 | 第52-53页 |
| ·吸收效应模型 | 第53页 |
| ·体原子价控制模型 | 第53页 |
| ·化学吸附过程模型 | 第53-54页 |
| ·气敏作用机理模型的研究 | 第54-64页 |
| ·ZnSnO_3 半导体陶瓷的导电机理 | 第54-56页 |
| ·ZnSnO_3 半导体陶瓷表面的气-固，气-气作用 | 第56-58页 |
| ·单晶薄膜和烧结体的ZnSnO_3 气敏传感器 | 第58页 |
| ·尺寸效应和离子替代掺杂机理 | 第58-59页 |
| ·添加剂的作用机理 | 第59-60页 |
| ·表面反应过程和选择性的关系 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 6 结论及建议 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录 | 第74-76页 |
