立方氮化硼、六方硼碳氮化合物的高压合成及应用研究
提要 | 第1-7页 |
第一章 绪论 | 第7-22页 |
·BN的分类及性质 | 第7-12页 |
·hBN的结构、性质及其应用 | 第8-10页 |
·cBN的结构、性质及其应用 | 第10-12页 |
·cBN的合成方法及现状 | 第12-14页 |
·cBN合成的溶剂理论及热力学分析 | 第14-19页 |
·cBN合成的溶剂理论 | 第14-15页 |
·cBN合成的热力学分析 | 第15-19页 |
·本论文的选题与主要研究内容 | 第19-22页 |
·选题意义 | 第19-21页 |
·研究内容 | 第21-22页 |
第二章 高压设备的精密化控制 | 第22-38页 |
·引言 | 第22页 |
·常用高压合成设备的分类 | 第22-25页 |
·实验用高温高压设备简介 | 第25-27页 |
·实验用压力和温度控制系统 | 第27-30页 |
·实验用压力控制系统 | 第27-29页 |
·实验用温度控制系统 | 第29-30页 |
·高压合成中压力和温度的标定 | 第30-33页 |
·高压合成中温度的标定 | 第30-32页 |
·高压合成中压力的标定 | 第32-33页 |
·人工合成cBN的传压介质 | 第33-38页 |
第三章 不同形状cBN晶体的高温高压合成 | 第38-50页 |
·引言 | 第38-40页 |
·实验过程 | 第40-42页 |
·实验结果与分析 | 第42-49页 |
·不同触媒/添加剂合成的cBN形貌及原因 | 第42-46页 |
·歪晶 | 第46-47页 |
·生长锥 | 第47-49页 |
·本章小节 | 第49-50页 |
第四章 cBN薄膜的溅射沉积 | 第50-67页 |
·引言 | 第50-51页 |
·射频磁控溅射沉积系统及基本原理 | 第51-55页 |
·cBN薄膜的制备 | 第55-65页 |
·cBN薄膜的制备的基本程序 | 第55-57页 |
·cBN薄膜的沉积参数及结果讨论 | 第57-65页 |
·本章小结 | 第65-67页 |
第五章 hBCN化合物的高压合成研究 | 第67-76页 |
·引言 | 第67-68页 |
·实验过程 | 第68-69页 |
·实验结果与分析 | 第69-75页 |
·X-射线衍射分析XRD | 第69-70页 |
·X-射线光电子能谱(XPS)分析 | 第70-72页 |
·傅立叶变换红外谱(FTIR)分析 | 第72-73页 |
·拉曼光谱(Raman)分析 | 第73-74页 |
·扫描电子显微镜(SEM)观察 | 第74-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
第六章 结论及展望 | 第76-79页 |
·结论 | 第76-77页 |
·展望 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-88页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第88-90页 |
致谢 | 第90-91页 |
摘要 | 第91-95页 |
Abstract | 第95-98页 |