中文摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-22页 |
·银纳米颗粒 | 第11-16页 |
·纳米颗粒的定义及特性 | 第11-12页 |
·银纳米颗粒的应用 | 第12-13页 |
·银纳米颗粒的制备方法 | 第13-16页 |
·黒硅材料 | 第16-19页 |
·黒硅的结构特点及应用 | 第16-17页 |
·黒硅的制备方法 | 第17-19页 |
·研究背景 | 第19-20页 |
·本论文的立题思想、研究内容和意义 | 第20-22页 |
第二章 制备方法与表征手段 | 第22-33页 |
·磁控溅射 | 第22-24页 |
·磁控溅射原理 | 第22-23页 |
·设备简介 | 第23-24页 |
·反应离子刻蚀 | 第24-27页 |
·刻蚀原理 | 第24-25页 |
·设备简介 | 第25-27页 |
·分析表征方法 | 第27-33页 |
·台阶仪 | 第27页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
·紫外-可见分光光度计 | 第29-30页 |
·反射率测试 | 第30页 |
·少子寿命测试仪 | 第30-31页 |
·X 射线衍射仪(XRD) | 第31-33页 |
第三章 磁控溅射制备银纳米颗粒及其表征 | 第33-43页 |
·基片清洗 | 第33页 |
·溅射功率、气压对 AG NPS 膜的影响 | 第33-36页 |
·溅射时间对 AG NPS 膜的影响 | 第36-38页 |
·热处理对 AG NPS 膜的影响 | 第38-41页 |
·基片温度对 AG NPS 膜的影响 | 第41页 |
·小结 | 第41-43页 |
第四章 银纳米颗粒作为微掩膜反应离子刻蚀制备黒硅材料 | 第43-54页 |
·实验步骤 | 第43-45页 |
·实验结果与讨论 | 第45-53页 |
·有无 Ag NPs 作掩膜制绒后样品的特性 | 第45-47页 |
·表面形貌与刻蚀时间 | 第47-49页 |
·反射率与刻蚀时间的关系 | 第49-52页 |
·刻蚀损伤与少数载流子寿命 | 第52-53页 |
·小结 | 第53-54页 |
第五章 SI 衬底上 C 轴择优 AG/PT 双层膜制备及表征 | 第54-62页 |
·SI 衬底上直接制备 AG/PT 双层膜及表征 | 第55-57页 |
·HF 酸处理的 SI 衬底上制备 AG/PT 双层膜及表征 | 第57-59页 |
·衬底温度对 HF 酸处理的 SI 衬底上 AG/PT 双层膜的影响 | 第59-60页 |
·小结 | 第60-62页 |
第六章 总结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-69页 |
攻读硕士期间公开发表的论文 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |