基于CMOS工艺压控振荡器和低噪声放大器研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-12页 |
| ·研究目的和意义 | 第9页 |
| ·国内外研究现状和发展趋势 | 第9-11页 |
| ·论文的主要工作和内容安排 | 第11-12页 |
| 第2章 CMOS 工艺中的电容和电感 | 第12-21页 |
| ·CMOS 工艺中的电容 | 第12-16页 |
| ·片上变容管 | 第13-16页 |
| ·CMOS 工艺中的电感 | 第16-21页 |
| ·CMOS 工艺中的电感模型 | 第17-18页 |
| ·电感的Q 值 | 第18-19页 |
| ·提高电感Q 值的方法 | 第19-21页 |
| 第3章 压控振荡器理论概述 | 第21-26页 |
| ·压控振荡器基本架构和原理 | 第21-22页 |
| ·VCO 基本性能参数 | 第22-26页 |
| ·调谐增益 | 第22-23页 |
| ·振荡幅度 | 第23-24页 |
| ·相位噪声 | 第24-26页 |
| 第4章 VCO 调谐增益优化 | 第26-32页 |
| ·降低调谐增益的方法 | 第26-28页 |
| ·调谐增益的稳定技术 | 第28-32页 |
| ·控制电感值变化 | 第28-29页 |
| ·采用可变电容阵列 | 第29-32页 |
| 第5章 压控振荡器具体实现 | 第32-41页 |
| ·宽带LC VCO 电路分析与设计 | 第32-35页 |
| ·开关电容阵列设计 | 第33-34页 |
| ·开关可变电容阵列设计 | 第34页 |
| ·相位噪声优化设计 | 第34-35页 |
| ·环形VCO 电路分析与设计 | 第35-37页 |
| ·电压基准源设计 | 第36-37页 |
| ·仿真结果及版图设计 | 第37-40页 |
| ·总结 | 第40-41页 |
| 第6章 射频放大器理论概述 | 第41-56页 |
| ·放大器的主要技术指标 | 第41-49页 |
| ·S 参数 | 第41-44页 |
| ·噪声 | 第44-47页 |
| ·非线性失真 | 第47-49页 |
| ·稳定性 | 第49页 |
| ·放大器的结构 | 第49-56页 |
| ·并联输入电阻共源结构 | 第50-51页 |
| ·共栅结构 | 第51-52页 |
| ·并联-串联反馈结构 | 第52-53页 |
| ·源简并共源型结构 | 第53-54页 |
| ·带通滤波器放大器结构 | 第54-55页 |
| ·分布式结构 | 第55-56页 |
| 第7章 增益可调技术 | 第56-59页 |
| ·基本概念 | 第56页 |
| ·增益可调技术 | 第56-59页 |
| ·旁路选择 | 第56-57页 |
| ·反馈 | 第57-58页 |
| ·电流分离技术 | 第58-59页 |
| 第8章 增益可调宽带低噪声放大器具体实现 | 第59-67页 |
| ·电路分析与设计 | 第59-63页 |
| ·匹配网络设计 | 第59-61页 |
| ·增益控制设计 | 第61-62页 |
| ·提高线性度优化设计 | 第62-63页 |
| ·仿真结果及版图设计 | 第63-66页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| 第9章 结束语 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 附录 | 第74页 |
