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Mg、H掺杂ZnO的第一原理研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-8页
第一章 引言第8-18页
   ·多电子体系的近似处理第8-11页
     ·绝热近似(Born—Oppenheimer 近似)第9-10页
     ·Hartree-Fork 近似第10-11页
   ·密度泛函理论第11-18页
     ·Thomas-Fermi(TF)模型第12-13页
     ·Hohenberg-Kohn 定理:多体理论第13页
     ·Kohn-Sham 方程:有效单体理论第13-15页
     ·交换相关泛函第15-16页
     ·密度泛函计算软件第16-18页
第二章 宽禁带半导体ZnO第18-25页
   ·基本性质第18-20页
   ·CASTEP 的计算方法第20-21页
     ·超原胞的建立第20页
     ·结构优化第20-21页
     ·缺陷浓度和形成能第21页
   ·利用第一性原理研究ZnO 的几个方面第21-25页
     ·ZnO 的本征缺陷第21-23页
     ·ZnO 中的外来杂质第23页
     ·带隙调整第23-24页
     ·共掺杂ZnO 的计算第24-25页
第三章 掺杂ZnO 的带边调制第25-37页
   ·溶胶凝胶法制备ZnO 纳米粒子的发光特性研究第25-29页
     ·半导体纳米粒子中量子限域效应第25-26页
     ·溶胶凝胶法制备ZnO 粒子的紫外吸收光谱第26页
     ·ZnO 纳米粒子的荧光光谱第26-28页
     ·ZnO 纳米粒子的绿光发射机制第28-29页
   ·Mg 掺杂对ZnO 的导带底的调制第29-34页
     ·ZnO 的第一性原理计算第30-31页
     ·ZnO 中掺入Mg第31-34页
   ·溶胶凝胶法制备MgZnO 纳米粒子及光学特性研究第34-37页
     ·MgZnO 纳米粒子的光学性质的研究第34-35页
     ·ZnO 纳米粒子的绿光发射机制第35-37页
第四章 非故意掺杂H 对ZnO 的影响第37-42页
   ·ZnO 中的H_i第37页
   ·V_O+H 的共存第37-39页
   ·Mg+V_O+H 复合缺陷第39-42页
     ·Mg+V_o 复合体第39-40页
     ·Mg+V_o+H 复合体第40-42页
第五章 总结第42-43页
参考文献第43-46页
致谢第46页

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