| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·微电子技术发展现状及趋势 | 第9-12页 |
| ·微电子技术发展水平 | 第9-10页 |
| ·微电子技术发展方向 | 第10-12页 |
| ·模拟开关的应用和发展趋势 | 第12-14页 |
| ·模拟开关的应用 | 第12-14页 |
| ·模拟开关的前景展望 | 第14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-17页 |
| 第二章 MOS晶体管和MOS开关 | 第17-35页 |
| ·MOS管的结构和特性 | 第17-26页 |
| ·MOSFET的结构 | 第17-18页 |
| ·阈值电压 | 第18-20页 |
| ·线性区 | 第20-22页 |
| ·饱和区 | 第22-23页 |
| ·沟道长度调制 | 第23-24页 |
| ·体效应 | 第24-25页 |
| ·亚阈值导电性 | 第25-26页 |
| ·MOS开关 | 第26-34页 |
| ·MOSFETs开关 | 第26-27页 |
| ·沟道导通电阻 | 第27-30页 |
| ·沟道电荷注入 | 第30-32页 |
| ·时钟馈通 | 第32页 |
| ·KT/C噪音 | 第32-33页 |
| ·电荷注入抵消 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 单刀双掷模拟开关电路的设计 | 第35-53页 |
| ·开关电路设计 | 第35-37页 |
| ·驱动电路设计 | 第37-38页 |
| ·缓冲电路设计 | 第38-43页 |
| ·输出缓冲电路的设计 | 第39-41页 |
| ·输入缓冲电路的设计 | 第41-43页 |
| ·静电保护电路设计 | 第43-51页 |
| ·ESD的测试和保护 | 第43-44页 |
| ·ESD保护电路设计 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 芯片仿真和版图设计 | 第53-67页 |
| ·电路仿真及仿真结果 | 第55-61页 |
| ·开关时间(Switching Time)的仿真 | 第55-57页 |
| ·导通前先断开转换(Break-Before-Make Interval)时间的仿真 | 第57页 |
| ·电荷注入(Charge Injection)的仿真 | 第57-59页 |
| ·导通电阻(RON)的仿真 | 第59-61页 |
| ·版图设计 | 第61-65页 |
| ·设计规则检查(DRC) | 第61-64页 |
| ·版图电路比较(LVS) | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结和展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |