| 目录 | 第1-6页 |
| Contents | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·碱金属原子及其能级结构 | 第13-16页 |
| ·精细结构 | 第14-15页 |
| ·超精细结构 | 第15-16页 |
| ·磁场中的塞曼分裂 | 第16页 |
| ·Lambda型三能级原子系统与相干光场的作用 | 第16-21页 |
| ·相干布居俘获 | 第17-18页 |
| ·电磁感应透明(EIT) | 第18-19页 |
| ·受激Raman绝热通道(STIRAP) | 第19-21页 |
| ·本论文的主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 光栅外腔半导体激光器GHz射频调制特性研究 | 第22-40页 |
| ·半导体激光器的发光机制 | 第22-27页 |
| ·半导体激光器工作物质的增益 | 第23-24页 |
| ·半导体激光器的基本结构 | 第24-25页 |
| ·半导体激光器的工作特性 | 第25-27页 |
| ·注入电流受到调制时半导体激光器输出激光频谱 | 第27-30页 |
| ·实验装置 | 第30-34页 |
| ·光栅外腔激光器的调试与安装 | 第30-33页 |
| ·实验装置 | 第33-34页 |
| ·影响调制程度的各种因素 | 第34-39页 |
| ·射频信号功率 | 第34-35页 |
| ·激光二极管的弛豫振荡频率 | 第35-36页 |
| ·外腔长度 | 第36-38页 |
| ·注入电流 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 可用于STIRAP的Raman激光系统 | 第40-58页 |
| ·产生Raman激光的相关研究概述 | 第40-43页 |
| ·电子相位锁定方法(Phase-locking loop) | 第40-41页 |
| ·AOM频移+锥形放大器(TA) | 第41页 |
| ·光学相位锁定(OPLL) | 第41-43页 |
| ·通过激光器电流调制和注入锁定获得Raman激光 | 第43-56页 |
| ·注入锁定的理论介绍 | 第43-46页 |
| ·注入锁定在实验中的实现 | 第46-51页 |
| ·实验装置 | 第47页 |
| ·主激光器 | 第47-48页 |
| ·被动激光器 | 第48-49页 |
| ·注入锁定的观察 | 第49-51页 |
| ·两台被动激光器之间的相干性 | 第51-56页 |
| ·拍频的基本原理 | 第52-53页 |
| ·拍频技术测量Raman光束的相干性 | 第53-54页 |
| ·拍频技术测量激光的线宽和频率稳定性 | 第54-56页 |
| ·Raman激光系统在单量子比特的旋转操控实验中的应用 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 硕士研究生期间完成的论文 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 个人简况 | 第70-72页 |
