| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| ·前言 | 第12-13页 |
| ·准一维纳米材料的制备 | 第13-15页 |
| ·电弧放电法 | 第14页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第14页 |
| ·微乳液法 | 第14页 |
| ·水热和溶剂热法 | 第14-15页 |
| ·GaN 纳米线制备技术的研究进展 | 第15-18页 |
| ·模板生长GaN 纳米线 | 第15-16页 |
| ·氧化辅助生长GaN 纳米线 | 第16-17页 |
| ·激光辅助催化生长GaN 纳米线 | 第17页 |
| ·两步生长模式合成GaN 纳米线 | 第17-18页 |
| ·SiC 纳米线制备技术的研究进展 | 第18-22页 |
| ·纳米碳管模板法 | 第18-20页 |
| ·碳热还原法 | 第20-21页 |
| ·其它方法 | 第21-22页 |
| ·一维纳米线的生长机制 | 第22-26页 |
| ·气-液-固(VLS)生长机制 | 第23-24页 |
| ·类气-液-固(VLS)生长机制 | 第24-25页 |
| ·气-固(VS)生长机制 | 第25页 |
| ·固-液-固(SLS)生长机制 | 第25-26页 |
| ·课题研究的目的、意义及研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 化学气相沉积法制备一维GaN 纳米线 | 第28-38页 |
| ·前言 | 第28页 |
| ·实验部分 | 第28-30页 |
| ·实验所用设备 | 第28-29页 |
| ·实验原料 | 第29页 |
| ·工艺方法 | 第29-30页 |
| ·表征设备 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·GaN 纳米线的SEM 形貌分析 | 第30-32页 |
| ·GaN 纳米线的TEM 分析 | 第32-33页 |
| ·GaN 纳米线的EDS 分析 | 第33页 |
| ·硅片上沉积产物的SEM 分析和EDS 分析 | 第33-35页 |
| ·GaN 纳米线的AFM 分析 | 第35-36页 |
| ·GaN 纳米线生长机理的分析与 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 多重气固反应制备SiC 纳米线 | 第38-48页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·实验所用设备 | 第38页 |
| ·实验原料 | 第38-39页 |
| ·工艺方法 | 第39页 |
| ·实验结果及讨论 | 第39-46页 |
| ·SiC 纳米线的SEM 分析 | 第40-41页 |
| ·SiC 纳米线的XRD 分析 | 第41-42页 |
| ·SiC 纳米线的TEM 及HRTEM 分析 | 第42-43页 |
| ·SiC 纳米线的EDS 分析 | 第43页 |
| ·SiC 纳米线的Raman 分析 | 第43-44页 |
| ·SiC 纳米线的PL 光谱分析 | 第44-45页 |
| ·SiC 纳米线生长机理的分析与 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 制备SiC 纳米线的影响因素分析及其特殊结构 | 第48-61页 |
| ·前言 | 第48页 |
| ·制备SiC 纳米线的影响因素 | 第48-54页 |
| ·不同反应温度的影响 | 第48-51页 |
| ·不同反应物的影响 | 第51-54页 |
| ·SiC 纳米线的特殊结构及其机理研究 | 第54-60页 |
| ·SiC 纳米线中的一维无序结构 | 第55-56页 |
| ·SiC 纳米线一维无序结构的形成机理 | 第56-58页 |
| ·SiC 纳米线的其它特殊结构与形貌 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 附录(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |