目录 | 第1-6页 |
图片目录 | 第6-9页 |
表格目录 | 第9-10页 |
摘要 | 第10-12页 |
ABSTRACT | 第12-14页 |
本文主要专业名词英汉对照 | 第14-15页 |
第一章 绪论 | 第15-27页 |
·传统FPGA编程技术 | 第15-21页 |
·SRAM编程技术 | 第16-18页 |
·Flash编程技术 | 第18-19页 |
·Antifuse编程技术 | 第19-20页 |
·各种编程技术的比较以及发展中遇到的挑战 | 第20-21页 |
·研究动机 | 第21-22页 |
·论文的主要工作和技术要点 | 第22-24页 |
·论文结构安排 | 第24-26页 |
参考文献 | 第26-27页 |
第二章 RRAM编程技术及相应FPGA电路设计 | 第27-65页 |
·新型非易失存储器 | 第27-34页 |
·RRAM | 第27-31页 |
·PRAM | 第31-32页 |
·MRAM | 第32-33页 |
·各种新型非易失存储器的比较 | 第33-34页 |
·现有的RRAM编程点结构及存在的问题分析 | 第34-40页 |
·7T2R NVSRAM | 第34-37页 |
·6T2R NVSRAM | 第37-39页 |
·rFPGA | 第39-40页 |
·新型RRAM NVSRAM编程点 | 第40-44页 |
·编程点结构 | 第40-41页 |
·操作流程和工作时序 | 第41-43页 |
·配置信息上电载入仿真 | 第43-44页 |
·与其他RRAM编程技术的比较 | 第44页 |
·动态重配置 | 第44-51页 |
·部分重配置 | 第45-49页 |
·多上下文配置 | 第49-51页 |
·FPGA电路设计 | 第51-57页 |
·查找表 | 第51-53页 |
·可编程布线资源 | 第53-55页 |
·配置存储器架构设计 | 第55-56页 |
·低功耗工作模式 | 第56-57页 |
·测试芯片 | 第57-61页 |
·两输入查找表电路 | 第57-58页 |
·测试芯片照片及版图 | 第58-60页 |
·测试结果及分析 | 第60页 |
·与MRAM NVSRAM两输入查找表比较 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
第三章 RRAM动态非易失查找表设计 | 第65-85页 |
·MRAM动态非易失查找表及其存在的问题分析 | 第65-67页 |
·RRAM动态非易失查找表 | 第67-77页 |
·RRAM编程技术 | 第67-68页 |
·预充电灵敏放大器 | 第68-72页 |
·匹配参考电阻树 | 第72-75页 |
·整体电路 | 第75-77页 |
·可靠性分析 | 第77-81页 |
·查找表出错原因分析 | 第77-79页 |
·Monte Carlo仿真建立 | 第79-80页 |
·可靠性仿真结果及分析 | 第80-81页 |
·测试芯片 | 第81-83页 |
·测试芯片照片及版图 | 第82-83页 |
·测试结果及分析 | 第83页 |
·本章小结 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-85页 |
第四章 2T eDRAM编程技术及相应FPGA电路设计 | 第85-107页 |
·2T eDRAM编程技术 | 第85-90页 |
·2T eDRAM存储器 | 第85-87页 |
·2T eDRAM编程点 | 第87页 |
·restore算法 | 第87-89页 |
·高阈值2T eDRAM编程点 | 第89-90页 |
·2T eDRAM FPGA电路设计 | 第90-96页 |
·查找表 | 第90-92页 |
·多路选择器 | 第92-95页 |
·双端口块随机存储器 | 第95-96页 |
·2TeDRAM FPGA的CAD评估 | 第96-102页 |
·CAD评估流程 | 第96-97页 |
·架构和功耗参数提取 | 第97-100页 |
·CAD验证结果与分析 | 第100-102页 |
·2T eDRAM FPGA测试芯片 | 第102-105页 |
·测试芯片电路 | 第102-103页 |
·测试芯片照片及版图 | 第103-104页 |
·测试结果及分析 | 第104-105页 |
·本章小结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-107页 |
第五章 总结与展望 | 第107-109页 |
·总结 | 第107-108页 |
·展望 | 第108-109页 |
致谢 | 第109-111页 |
攻读博士期间取得的科研成果 | 第111-113页 |