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新型存储器在FPGA中应用的关键技术研究

目录第1-6页
图片目录第6-9页
表格目录第9-10页
摘要第10-12页
ABSTRACT第12-14页
本文主要专业名词英汉对照第14-15页
第一章 绪论第15-27页
   ·传统FPGA编程技术第15-21页
     ·SRAM编程技术第16-18页
     ·Flash编程技术第18-19页
     ·Antifuse编程技术第19-20页
     ·各种编程技术的比较以及发展中遇到的挑战第20-21页
   ·研究动机第21-22页
   ·论文的主要工作和技术要点第22-24页
   ·论文结构安排第24-26页
 参考文献第26-27页
第二章 RRAM编程技术及相应FPGA电路设计第27-65页
   ·新型非易失存储器第27-34页
     ·RRAM第27-31页
     ·PRAM第31-32页
     ·MRAM第32-33页
     ·各种新型非易失存储器的比较第33-34页
   ·现有的RRAM编程点结构及存在的问题分析第34-40页
     ·7T2R NVSRAM第34-37页
     ·6T2R NVSRAM第37-39页
     ·rFPGA第39-40页
   ·新型RRAM NVSRAM编程点第40-44页
     ·编程点结构第40-41页
     ·操作流程和工作时序第41-43页
     ·配置信息上电载入仿真第43-44页
     ·与其他RRAM编程技术的比较第44页
   ·动态重配置第44-51页
     ·部分重配置第45-49页
     ·多上下文配置第49-51页
   ·FPGA电路设计第51-57页
     ·查找表第51-53页
     ·可编程布线资源第53-55页
     ·配置存储器架构设计第55-56页
     ·低功耗工作模式第56-57页
   ·测试芯片第57-61页
     ·两输入查找表电路第57-58页
     ·测试芯片照片及版图第58-60页
     ·测试结果及分析第60页
     ·与MRAM NVSRAM两输入查找表比较第60-61页
   ·本章小结第61-62页
 参考文献第62-65页
第三章 RRAM动态非易失查找表设计第65-85页
   ·MRAM动态非易失查找表及其存在的问题分析第65-67页
   ·RRAM动态非易失查找表第67-77页
     ·RRAM编程技术第67-68页
     ·预充电灵敏放大器第68-72页
     ·匹配参考电阻树第72-75页
     ·整体电路第75-77页
   ·可靠性分析第77-81页
     ·查找表出错原因分析第77-79页
     ·Monte Carlo仿真建立第79-80页
     ·可靠性仿真结果及分析第80-81页
   ·测试芯片第81-83页
     ·测试芯片照片及版图第82-83页
     ·测试结果及分析第83页
   ·本章小结第83-84页
 参考文献第84-85页
第四章 2T eDRAM编程技术及相应FPGA电路设计第85-107页
   ·2T eDRAM编程技术第85-90页
     ·2T eDRAM存储器第85-87页
     ·2T eDRAM编程点第87页
     ·restore算法第87-89页
     ·高阈值2T eDRAM编程点第89-90页
   ·2T eDRAM FPGA电路设计第90-96页
     ·查找表第90-92页
     ·多路选择器第92-95页
     ·双端口块随机存储器第95-96页
   ·2TeDRAM FPGA的CAD评估第96-102页
     ·CAD评估流程第96-97页
     ·架构和功耗参数提取第97-100页
     ·CAD验证结果与分析第100-102页
   ·2T eDRAM FPGA测试芯片第102-105页
     ·测试芯片电路第102-103页
     ·测试芯片照片及版图第103-104页
     ·测试结果及分析第104-105页
   ·本章小结第105-106页
 参考文献第106-107页
第五章 总结与展望第107-109页
   ·总结第107-108页
   ·展望第108-109页
致谢第109-111页
攻读博士期间取得的科研成果第111-113页

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