| 摘要 | 第10-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-32页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 二维材料的研究进展 | 第13-19页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第14-15页 |
| 1.2.2 类石墨烯 | 第15-17页 |
| 1.2.3 过渡金属硫族化合物(TMDs) | 第17-19页 |
| 1.3 二维材料电子特性的调控 | 第19-24页 |
| 1.3.1 应力应变调控 | 第19-20页 |
| 1.3.2 构建异质结构调控 | 第20-22页 |
| 1.3.3 掺杂调控 | 第22-24页 |
| 1.4 参考文献 | 第24-32页 |
| 第二章 基本理论知识 | 第32-47页 |
| 2.1 量子力学基本原理 | 第32-35页 |
| 2.1.1 薛定谔方程(Schrodinger方程) | 第32-33页 |
| 2.1.2 波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第33-34页 |
| 2.1.3 Hatree-Fock方法 | 第34-35页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第35-39页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第35-36页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第37-39页 |
| 2.3 交换相关泛函 | 第39-40页 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第39-40页 |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第40页 |
| 2.3.3 杂化密度泛函 | 第40页 |
| 2.4 固体物理基本概念 | 第40-43页 |
| 2.4.1 布洛赫定理 | 第40-41页 |
| 2.4.2 截断能 | 第41页 |
| 2.4.3 赝势 | 第41-42页 |
| 2.4.4 有效质量 | 第42-43页 |
| 2.5 计算软件 | 第43-45页 |
| 2.6 参考文献 | 第45-47页 |
| 第三章 二维范德华异质结构WX_2(X=S、Se、Te)电子结构性质及其应力影响的理论研究 | 第47-64页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 理论计算方法 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-59页 |
| 3.3.1 层数对WX_2(X=S、Se、Te)电子结构的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.2 WS_2/WSe_2、WS_2/WTe_2和WSe_2/WTe_2范德华异质结构和性质 | 第50-55页 |
| 3.3.3 外加应力对异质结的能带结构的影响 | 第55-59页 |
| 3.4 本章总结 | 第59-60页 |
| 3.5 参考文献 | 第60-64页 |
| 第四章 表面原子掺杂方法来调控砷烯/锑烯范德华异质结构能带结构 | 第64-80页 |
| 4.1 研究背景 | 第64-65页 |
| 4.2 理论计算方法 | 第65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-77页 |
| 4.3.1 As和Sb的体相、单层的能带结构理论研究 | 第65-70页 |
| 4.3.2 掺杂O,S原子对As/Sb范德华异质结的能带调控 | 第70-77页 |
| 4.4 本章总结 | 第77页 |
| 4.5 参考文献 | 第77-80页 |
| 第五章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 5.1 工作总结 | 第80-81页 |
| 5.2 工作展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
