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无机碳纳米材料的制备及其在分析传感器中的应用

摘要第9-11页
Abstract第11-12页
第一章 绪论第13-25页
    1.1 纳米材料第13-14页
        1.1.1 纳米材料简介第13页
        1.1.2 纳米材料的应用第13-14页
    1.2 碳纳米材料第14-18页
        1.2.1 碳纳米材料简介第14页
        1.2.2 碳纳米管第14-16页
        1.2.3 石墨烯第16-17页
        1.2.4 其他的碳纳米材料第17-18页
    1.3 磁性纳米材料第18-20页
        1.3.1 磁性纳米材料的简介第18-19页
        1.3.2 磁性纳米材料的包覆第19-20页
    1.4 量子点第20-22页
        1.4.1 量子点简介第20页
        1.4.2 量子点的合成方法第20-21页
        1.4.3 量子点的应用第21-22页
    1.5 免疫分析第22-23页
    1.6 本文的研究思路第23-25页
第二章 “糖葫芦”状MWCNTs-Fe_3O_4-C复合纳米材料的制备及电致发光应用研究第25-41页
    2.1 实验部分第26-29页
        2.1.1 实验试剂及仪器第26-27页
        2.1.2 Fe_3O_4-C复合材料的合成第27页
        2.1.3 MWCNTs-Fe_3O_4-C的合成第27-28页
        2.1.4 AuNPs-EGN的制备第28页
        2.1.6 二抗标记物的合成第28-29页
        2.1.7 传感器的构建和测定第29页
    2.2 结果与讨论第29-36页
        2.2.1 Fe_3O_4-C和MWCNTs-Fe_3O_4-C的表征第29-34页
        2.2.2 AuNPs-EGN的表征第34-35页
        2.2.3 传感器的的阻抗表征第35-36页
    2.3 条件选择第36-37页
        2.3.1 Fe_3O_4-C和MWCNTs-Fe_3O_4-C构建传感器的对比第36-37页
        2.3.2 测定条件的选择第37页
    2.4 线性范围和检测限第37-38页
    2.5 选择性、重现性及稳定性第38-39页
    2.6 样品测定第39-40页
    2.7 小结第40-41页
第三章 Fe_3O_4-C-CNCs的制备及其在荧光传感器上的应用第41-53页
    3.1 实验部分第42-45页
        3.1.1 实验试剂及仪器第42-43页
        3.1.2 Fe_3O_4-C-CNCs复合材料的合成第43页
        3.1.3 荧光流通池的制备第43-44页
        3.1.4 Fe_3O_4-C-CNCs标记一抗的制备第44页
        3.1.5 Gox-SiO_2-Ab_2的制备第44-45页
        3.1.6 荧光传感器的构建和免疫测定第45页
    3.2 结果与讨论第45-49页
        3.2.1 Fe_3O_4-C-CNCs的表征第45-47页
        3.2.2 Fe_3O_4-C-CNCs-Ab_1的表征第47-48页
        3.2.3 Gox-SiO_2-Ab_2的表征第48-49页
        3.2.4 机理研究第49页
    3.3 缓冲溶液酸度的选择第49-50页
    3.4 线性范围和检测限第50页
    3.5 重现性、选择性及稳定性第50-51页
    3.6 样品测定第51-52页
    3.7 小结第52-53页
第四章 Fe_3O_4-C-ZnO的制备及其在电致发光传感器上的应用第53-65页
    4.1 实验部分第53-58页
        4.1.1 实验试剂及仪器第53-54页
        4.1.2 Fe_3O_4-C-ZnO的制备第54-55页
        4.1.3 MWCNTs-AuNPs的制备第55页
        4.1.4 ECL流通池的制备第55-56页
        4.1.5 Fe_3O_4-C-ZnO标记一抗的制备第56-57页
        4.1.6 GOx-MWCNTs-AuNPs-Ab_2的制备第57页
        4.1.7 ECL传感器的构建第57-58页
    4.2 结果与讨论第58-62页
        4.2.1 Fe_3O_4-C-ZnO的表征第58-59页
        4.2.2 MWCNTs-AuNPs的表征第59-60页
        4.2.3 对免疫传感器性能的研究第60-61页
        4.2.4 机理的探讨第61-62页
    4.3 测定条件的选择第62页
    4.4 线性范围和检测限第62-63页
    4.5 重现性和选择性测定第63-64页
    4.6 样品测定第64页
    4.7 小结第64-65页
第五章 基于GO-ZnO和“山药豆”状AgNPs的局域离子体共振作用的荧光DNA传感器的构建第65-75页
    5.1 实验部分第65-69页
        5.1.1 实验试剂及仪器第65-67页
        5.1.2 GO-ZnO的制备第67页
        5.1.3 AgNPs的制备第67页
        5.1.4 AgNPs-S3的制备第67-68页
        5.1.5 DNA的构建和目标DNA的测定第68-69页
    5.2 结果与讨论第69-72页
        5.2.1 GO-ZnO的表征第69-70页
        5.2.2 AgNPs的表征第70-71页
        5.2.3 DNA传感器性能研究第71-72页
    5.3 缓冲溶液酸度的选择第72页
    5.4 线性范围和检测限第72-73页
    5.5 重现性、选择性及稳定性第73-74页
    5.6 样品测定第74页
    5.7 小结第74-75页
参考文献第75-83页
致谢第83-85页
附录第85页

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