| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 1 引言 | 第13-16页 |
| ·微机电系统(MEMS)及抗粘滞自组装单分子膜 | 第13-14页 |
| ·论文的研究背景和主要内容 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 2 文献综述 | 第16-40页 |
| ·MEMS概述 | 第16-21页 |
| ·MEMS的基本概念与发展历史 | 第16-17页 |
| ·MEMS的制造技术 | 第17-20页 |
| ·体微加工技术 | 第17-19页 |
| ·表面微加工技术 | 第19页 |
| ·LIGA技术 | 第19-20页 |
| ·MEMS技术的应用前景 | 第20-21页 |
| ·MEMS的失效机制 | 第21-24页 |
| ·自组装单分子膜(SAM) | 第24-32页 |
| ·SAM概述 | 第25页 |
| ·SAM的主要种类 | 第25-26页 |
| ·脂肪酸类SAM | 第25页 |
| ·有机硫类SAM | 第25页 |
| ·有机硅烷SAM | 第25-26页 |
| ·有机硅烷类SAM的生成机理 | 第26页 |
| ·影响有机硅烷类SAM成膜的条件 | 第26-29页 |
| ·反应温度对有机硅烷类SAM的影响 | 第27页 |
| ·水含量对有机硅烷类SAM的影响 | 第27-28页 |
| ·反应溶剂对有机硅烷类SAM影响 | 第28页 |
| ·基底表面的处理方法对机硅烷类SAM的影响 | 第28页 |
| ·反应时间对有机硅烷类SAM的影响 | 第28-29页 |
| ·碳链长度对有机硅烷类SAM的影响 | 第29页 |
| ·SAM的主要性质及其表征手段 | 第29-32页 |
| ·SAM的膜厚 | 第29-30页 |
| ·SAM的润湿性 | 第30页 |
| ·SAM的分子取向 | 第30-31页 |
| ·SAM的规整度和覆盖率 | 第31页 |
| ·SAM的表面电势 | 第31页 |
| ·SAM的表面化学组成 | 第31-32页 |
| ·SAM表面电势的EFM测量 | 第32-36页 |
| ·EFM简介 | 第32页 |
| ·EFM的工作原理 | 第32-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 3 金表面不同链长烷基硫醇SAM表面电势变化规律的理论研究 | 第40-57页 |
| ·研究背景和目的 | 第40-42页 |
| ·SAM表面电势的理论模型(Helmholtz模型) | 第42-44页 |
| ·SAM表面电势的计算方法 | 第44-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-52页 |
| ·烷基链长度对分子偶极矩μ其与碳链轴线夹角θ_1的影响 | 第47-48页 |
| ·不同链长烷基硫醇SAM的相对介电常数 | 第48-49页 |
| ·分子倾角对SAM表面电势的影响 | 第49-52页 |
| ·SAM中分子倾角规律性变化的成因的分析 | 第52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 4 反应温度对OTS SAM表面电势影响的实验研究 | 第57-73页 |
| ·研究背景与目的 | 第57-58页 |
| ·实验部分 | 第58-62页 |
| ·实验药品 | 第58页 |
| ·样品制备 | 第58-59页 |
| ·硅基底的预处理 | 第58-59页 |
| ·SAM样品的制备 | 第59页 |
| ·样品的表面的接触角表征 | 第59页 |
| ·样品的EFM表征 | 第59-62页 |
| ·实验结果与讨论 | 第62-70页 |
| ·不同反应温度下制备的OTS SAM样品表面接触角的测量结果 | 第62-63页 |
| ·不同反应温度下制备的OTS SAM样品表面电势的测量结果 | 第63-69页 |
| ·结果分析与讨论 | 第69-70页 |
| ·结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 5 C8TES/OTS均相混合SAM样品的EFM研究 | 第73-83页 |
| ·研究背景与目的 | 第73-76页 |
| ·实验部分 | 第76-77页 |
| ·实验结果与讨论 | 第77-79页 |
| ·表面电势的测量结果 | 第77-79页 |
| ·OTS SAM表面电势测量结果 | 第77-78页 |
| ·C8TCS SAM的表面电势测量结果 | 第78页 |
| ·C8TES/OTS混合SAM的表面电势测量结果 | 第78-79页 |
| ·结果分析与讨论 | 第79页 |
| ·结论 | 第79-80页 |
| ·EFM实验测量应用的展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 6 结论 | 第83-84页 |
| 附录 | 第84页 |