| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 二维材料的研究现状 | 第12-20页 |
| 1.1.1 Ⅳ族元素形成的二维材料 | 第12-15页 |
| 1.1.2 过渡金属二硫化物 | 第15-16页 |
| 1.1.3 Ⅳ-Ⅴ族的二维半导体材料 | 第16-17页 |
| 1.1.4 Ⅴ族元素形成的二维材料 | 第17-20页 |
| 1.2 自旋电子学 | 第20-23页 |
| 1.2.1 自旋电子学的发展 | 第20-21页 |
| 1.2.2 稀磁半导体 | 第21-22页 |
| 1.2.3 d0铁磁性 | 第22-23页 |
| 1.3 拓扑绝缘体和拓扑半金属 | 第23-27页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体 | 第23-25页 |
| 1.3.2 拓扑半金属 | 第25-27页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第27-28页 |
| 第2章 第一性原理计算及相应的理论方法 | 第28-42页 |
| 2.1 多粒子体系的薛定谔方程及其求解 | 第28-31页 |
| 2.1.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第28页 |
| 2.1.2 Born-Oppenheimer近似 | 第28-29页 |
| 2.1.3 Hartree-Fock近似 | 第29-31页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第31-32页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第31页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| 2.3 几种常用的近似密度泛函 | 第32-33页 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第32-33页 |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第33页 |
| 2.3.3 杂化密度泛函 | 第33页 |
| 2.4 能带的计算方法 | 第33-38页 |
| 2.4.1 平面波方法 | 第33-34页 |
| 2.4.2 正交化平面波和赝势方法 | 第34-36页 |
| 2.4.3 缀加平面波方法 | 第36-37页 |
| 2.4.4 紧束缚近似方法 | 第37-38页 |
| 2.5 最局域瓦尼尔函数(MLWFs)方法 | 第38-39页 |
| 2.6 第一性原理计算的相关软件简介 | 第39-42页 |
| 第3章 空位、非金属元素替代掺杂单层砷烯的磁性研究 | 第42-58页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 晶体结构和计算方法 | 第42-44页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第44-57页 |
| 3.3.1 单层砷烯和含As空位的单层砷烯的计算结果与分析 | 第44-51页 |
| 3.3.2 非金属原子掺杂单层砷烯的计算结果与分析 | 第51-56页 |
| 3.3.3 磁耦合的计算结果及分析 | 第56-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 单层Ⅳ-Ⅴ半导体ⅣBi(Ⅳ=Si,Ge,Sn)的二维同素异构体的研究 | 第58-74页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 晶体结构和计算方法 | 第59-60页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第60-73页 |
| 4.3.1 单层T-ⅣBi(Ⅳ=Si,Ge,Sn)的几何结构和稳定性 | 第60-65页 |
| 4.3.2 单层T-ⅣBi(Ⅳ=Si,Ge,Sn)的电子能带结构 | 第65-67页 |
| 4.3.3 应变对单层T-ⅣBi(Ⅳ=Si,Ge,Sn)的几何结构和电子能带结构的影响 | 第67-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第5章 单层T-Ge和T-Sn的结构、电子结构和拓扑性质的研究 | 第74-84页 |
| 5.1 引言 | 第74-75页 |
| 5.2 晶体结构和计算方法 | 第75-76页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第76-82页 |
| 5.3.1 单层T-Ge和T-Sn的几何结构和稳定性 | 第76-77页 |
| 5.3.2 单层T-Ge和T-Sn的电子结构 | 第77-81页 |
| 5.3.3 应变对单层T-Ge和T-Sn的拓扑性质的影响 | 第81-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第6章 论文总结与展望 | 第84-86页 |
| 6.1 论文总结 | 第84-85页 |
| 6.2 论文展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-104页 |
| 在学期间所取得的学术成果 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
