| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.3 本论文组织结构 | 第10-12页 |
| 第二章 NANDFlash简介 | 第12-22页 |
| 2.1 NANDFlash存储器简介 | 第12-14页 |
| 2.1.1 NANDFlash单元 | 第12-13页 |
| 2.1.2 NANDFlash结构与NORFlash结构 | 第13-14页 |
| 2.1.3 NANDFlash阵列 | 第14页 |
| 2.2 存储器的相关基本概念 | 第14-16页 |
| 2.3 NANDFlash的基本操作 | 第16-20页 |
| 2.3.1 读取操作 | 第16-17页 |
| 2.3.2 编程操作 | 第17-20页 |
| 2.3.3 擦除操作 | 第20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 NANDFlash页缓存器 | 第22-30页 |
| 3.1 NANDFlash页缓存器简介 | 第22-25页 |
| 3.2 基于一种页缓存器的行为建模 | 第25-27页 |
| 3.3 改进的NANDFlash页缓存器结构 | 第27-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 C/F读取算法 | 第30-38页 |
| 4.1 共源线噪声 | 第30-33页 |
| 4.1.1 共源线噪声的影响 | 第30-31页 |
| 4.1.2 减小共源线噪声的方法 | 第31-33页 |
| 4.2 C/F读取算法 | 第33-37页 |
| 4.2.1 C/F读取算法原理 | 第33-35页 |
| 4.2.2 第一次子读电压的选取 | 第35页 |
| 4.2.3 MSB位C/F读取操作及其真值表 | 第35-37页 |
| 4.2.4 LSB位C/F读取操作及其真值表 | 第37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 基于页缓存器设计C/F读取算法实现 | 第38-57页 |
| 5.1 传统读取操作 | 第38-41页 |
| 5.1.1 电压感应读取 | 第38-39页 |
| 5.1.2 电流感应读取 | 第39-41页 |
| 5.2 C/F读取操作 | 第41-43页 |
| 5.2.1 MSB位C/F读取操作 | 第41-43页 |
| 5.2.2 LSB位C/F读取操作 | 第43页 |
| 5.3 编程操作 | 第43-47页 |
| 5.4 版图设计 | 第47-54页 |
| 5.4.1 版图设计考虑 | 第47-48页 |
| 5.4.2 版图实现 | 第48-52页 |
| 5.4.3 后仿真 | 第52-54页 |
| 5.5 性能评估与改进 | 第54-56页 |
| 5.5.1 读可靠度 | 第54-55页 |
| 5.5.2 页缓存器面积 | 第55-56页 |
| 5.5.3 优化与改进 | 第56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第57-58页 |
| 6.2 未来的工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 作者在读期间科研成果简介 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |