| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 铁电材料的概述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 传统铁电材料简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 新型氧化铪基铁电材料简介及现状 | 第10-12页 |
| 1.1.3 铁电薄膜的特性与表征 | 第12-14页 |
| 1.2 铁电存储器及其存储结构 | 第14-16页 |
| 1.3 铁电器件电离辐射效应 | 第16-18页 |
| 1.3.1 外太空辐射环境 | 第16-17页 |
| 1.3.2 电子器件辐射效应简介 | 第17页 |
| 1.3.3 铁电薄膜材料辐射现状 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的选题依据和研究内容 | 第18-20页 |
| 1.4.1 本论文的选题依据 | 第18-19页 |
| 1.4.2 本论文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验方法简介 | 第20-27页 |
| 2.1 铁电薄膜制备及测试方法简介 | 第20-22页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 原子层沉积 | 第21页 |
| 2.1.3 扫描电子显微镜 | 第21页 |
| 2.1.4 铁电分析仪 | 第21-22页 |
| 2.1.5 半导体分析仪 | 第22页 |
| 2.1.6 台阶仪 | 第22页 |
| 2.2 辐射实验 | 第22-27页 |
| 2.2.1 辐射源~(60)Co简介 | 第22-23页 |
| 2.2.2 电离辐射损伤机理 | 第23-24页 |
| 2.2.3 辐射实验方法 | 第24-27页 |
| 第3章 SBT基铁电栅结构制备与测试表征 | 第27-36页 |
| 3.1 SBT铁电薄膜的制备与表征 | 第27-32页 |
| 3.1.1 SBT薄膜的Sol-Gel法制备 | 第27-30页 |
| 3.1.2 SBT铁电薄膜的表征 | 第30-32页 |
| 3.2 HfO_2介电层的制备与表征 | 第32页 |
| 3.3 铁电层为SBT的MFIS栅结构的制备与性能 | 第32-35页 |
| 3.3.1 SBT铁电栅电容的性能测试 | 第32-34页 |
| 3.3.2 不同厚度I层的MFIS栅结构的电容电压测试 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 HZO基FeFET栅结构制备与性能表征 | 第36-54页 |
| 4.1 HZO铁电薄膜的制备与表征 | 第36-41页 |
| 4.1.1 HZO铁电薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 4.1.2 电极面积对HZO铁电薄膜电滞回线的影响 | 第37-39页 |
| 4.1.3 测试频率对HZO铁电薄膜电滞回线的影响 | 第39-41页 |
| 4.2 铁电层为HZO的MFIS栅结构的制备与表征 | 第41-47页 |
| 4.2.1 HZO铁电栅电容的铁电性能研究 | 第41-42页 |
| 4.2.2 MFIS栅结构的微观及电学性能研究 | 第42-44页 |
| 4.2.3 温度对MFIS栅结构保持的影响 | 第44-46页 |
| 4.2.4 总剂量电离辐射对MFIS栅结构的电学性能影响 | 第46-47页 |
| 4.3 MFMIS铁电栅结构初探 | 第47-52页 |
| 4.3.1 MFMIS栅结构的电学性能表征探索 | 第47-51页 |
| 4.3.2 总剂量电离辐射对MFMIS栅结构电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
