| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 二维过渡金属硫化物 | 第10-13页 |
| 1.2.1 二维层状过渡金属硫化物简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 二维层状钼和钨二硫族化合物的晶体结构和能带结构 | 第11-12页 |
| 1.2.3 二硫化钼(钨)的电子结构 | 第12-13页 |
| 1.3 超薄二维纳米片的合成方法 | 第13-21页 |
| 1.3.1 自上而下的制备方法 | 第14-18页 |
| 1.3.2 自下而上的制备方法 | 第18-21页 |
| 1.4 二维过渡金属硫族化合物的应用 | 第21-23页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第21-22页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第22页 |
| 1.4.3 柔性电子器件 | 第22-23页 |
| 1.5 二维层状材料的纳米摩擦性能 | 第23-25页 |
| 1.6 本文选题依据及主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 实验材料设备及表征技术 | 第26-33页 |
| 2.1 实验材料设备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第26页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第26页 |
| 2.1.3 CVD生长设备 | 第26-27页 |
| 2.2 表征技术 | 第27-33页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第28页 |
| 2.2.3 拉曼光谱 | 第28-30页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第30-32页 |
| 2.2.5 光致发光光谱 | 第32-33页 |
| 第3章 MoS_2的热力学计算及其CVD法制备 | 第33-46页 |
| 3.1 制备MoS_2过程的热力学计算 | 第33-36页 |
| 3.2 CVD制备MoS_2的实验流程 | 第36-37页 |
| 3.3 样品形貌表征 | 第37-40页 |
| 3.4 生长条件对制备二硫化钼的影响 | 第40-45页 |
| 3.4.1 反应温度对MoS_2制备的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.2 反应时间对MoS_2制备的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.3 反应源浓度对MoS_2制备的影响 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 卤盐助溶剂辅助CVD生长高质量WS_2 | 第46-59页 |
| 4.1 CVD制备WS_2的实验流程 | 第46-47页 |
| 4.2 生长条件对制备WS_2的影响 | 第47-52页 |
| 4.2.1 NaCl对制备三角形WS_2的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.2 WO_3与NaCl混合比例对制备三角形WS_2的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 生长温度对制备三角形WS_2的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.4 生长时间对制备三角形WS_2的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.5 基片离钨源距离对制备三角形WS_2的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 WS2的表征 | 第52-55页 |
| 4.3.1 三角形WS_2纳米片的形貌表征 | 第52-53页 |
| 4.3.2 三角形WS_2纳米片的AFM表征 | 第53-54页 |
| 4.3.3 三角形WS_2纳米片的拉曼表征 | 第54-55页 |
| 4.4 MoS_2/WS_2异质结的CVD法制备 | 第55-57页 |
| 4.4.1 样品制备 | 第55-56页 |
| 4.4.2 单层MoS_2/WS_2异质结的表征 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 MoS_2、WS_2及MoS_2/WS_2的摩擦性能研究 | 第59-66页 |
| 5.1 MoS_2、WS_2的AFM表征 | 第59-60页 |
| 5.2 MoS_2、WS_2、MoS_2/WS_2的摩擦性能 | 第60-64页 |
| 5.2.1 厚度对MoS_2、 WS_2、 MoS_2/WS_2摩擦力的影响 | 第60-64页 |
| 5.2.2 扫描速度对MoS_2、WS_2摩擦力的影响 | 第64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第6章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 附录A: 个人简历 | 第78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |
