NAND闪存读写电压优化及编写方式研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 1.1 NAND闪存研究背景 | 第14-15页 |
| 1.2 NAND闪存研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 论文研究内容及安排 | 第17-18页 |
| 第二章 闪存信道模型 | 第18-28页 |
| 2.1 NAND闪存单元的编写与擦除 | 第18-19页 |
| 2.2 NAND闪存信道建模 | 第19-26页 |
| 2.2.1 NAND闪存信道中的几种主要干扰 | 第19-21页 |
| 2.2.2 NAND闪存信道模型的建立 | 第21-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 索引调制编写方法 | 第28-38页 |
| 3.1 NAND闪存编写方法及单元间干扰 | 第28-30页 |
| 3.1.1 两种闪存编写方法 | 第28-29页 |
| 3.1.2 闪存单元受到的单元间干扰的计算 | 第29-30页 |
| 3.2 NAND闪存索引调制编写方法 | 第30-36页 |
| 3.2.1 实验环境及配置 | 第30-31页 |
| 3.2.2 索引调制编写 | 第31-32页 |
| 3.2.3 性能仿真与结果分析 | 第32-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 编写电压及读取电压优化方法 | 第38-58页 |
| 4.1 NAND闪存的编写电压对闪存信道的影响 | 第38-40页 |
| 4.2 NAND闪存编写电压优化 | 第40-47页 |
| 4.2.1 数据写入过程 | 第40-42页 |
| 4.2.2 编写电压优化 | 第42-44页 |
| 4.2.3 性能仿真与结果分析 | 第44-47页 |
| 4.3 NAND闪存读取电压优化 | 第47-55页 |
| 4.3.1 动态门限及编码实现 | 第47-50页 |
| 4.3.2 读取电压优化 | 第50-52页 |
| 4.3.3 性能仿真与结果分析 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 作者简介 | 第68-69页 |
