| 学位论文数据集 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体金属氧化物(MOS)气敏传感器 | 第14-18页 |
| 1.2.1 MOS气敏传感器的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 MOS气敏传感器的特性参数 | 第15-16页 |
| 1.2.3 MOS气敏传感器的响应机理 | 第16-18页 |
| 1.3 提高MOS气敏材料性能的方法 | 第18-26页 |
| 1.3.1 材料复合 | 第18-20页 |
| 1.3.2 材料掺杂 | 第20页 |
| 1.3.3 表面修饰材料结构 | 第20-21页 |
| 1.3.4 设计特殊的材料微观结构 | 第21-23页 |
| 1.3.5 光激发 | 第23-26页 |
| 1.4 陶瓷管上原位生长气敏材料研究现状 | 第26-27页 |
| 1.5 论文选题的意义和目的 | 第27页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验部分 | 第29-33页 |
| 2.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.2 材料的表征方法 | 第29-30页 |
| 2.2.1 X射线粉体衍射(XRD)分析 | 第29页 |
| 2.2.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第29-30页 |
| 2.2.3 高分辨投射电镜(HRTEM) | 第30页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第30页 |
| 2.2.5 比表面和孔径(BET)分析 | 第30页 |
| 2.2.6 全光谱显微分光光度计(UV-Vis-NIR) | 第30页 |
| 2.2.7 ICP元素分析 | 第30页 |
| 2.3 (光激发)气敏性能测试方法 | 第30-33页 |
| 第三章 NiO/ZnO/SnO_2复合材料的制备及其气敏性能研究 | 第33-47页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验内容 | 第34页 |
| 3.2.1 ZnSn-MMOCs的制备 | 第34页 |
| 3.2.2 NiZnSn-MMOCs的制备 | 第34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-45页 |
| 3.3.1 复合材料的表征 | 第34-39页 |
| 3.3.2 Ni_(x(x=0-1))Zn_3Sn_(0.9)500系列样品的气敏性能研究 | 第39-43页 |
| 3.3.3 Ni_(x(x=0-1))Zn_3Sn_(0.9)500系列样品的传感机理探究 | 第43-45页 |
| 3.4. 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 Zn/In多级结构氧化物的制备及其光激发气敏性能研究 | 第47-65页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 实验内容 | 第48-49页 |
| 4.2.1 陶瓷管的前期处理 | 第48页 |
| 4.2.2 多级结构氧化物的原位制备 | 第48页 |
| 4.2.3 ZnInO粉体的制备 | 第48页 |
| 4.2.4 气敏元件的制备及其光激发气敏测试条件 | 第48-49页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第49-63页 |
| 4.3.1 陶瓷管前期处理方法探究 | 第49-50页 |
| 4.3.2 不同Zn/In元素比的影响探究 | 第50-53页 |
| 4.3.3 ZnIn_(0.13)O多级结构的结构、形貌表征 | 第53-60页 |
| 4.3.4 ZnIn_(0.13)O多级结构传感器的气敏性能探究 | 第60-63页 |
| 4.4. 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| 论文创新点 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者和导师简介 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80-81页 |
