| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-14页 |
| 1.2 二硫化钼的合成和基本性质 | 第14-16页 |
| 1.2.1 二硫化钼的结构 | 第14页 |
| 1.2.2 二硫化钼的性能 | 第14-15页 |
| 1.2.3 二硫化钼的制备 | 第15-16页 |
| 1.3 二硫化钼纳米带 | 第16-17页 |
| 1.4 本文选题背景与主要内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-24页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第24-37页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-29页 |
| 2.2.1 多粒子体系问题 | 第25-26页 |
| 2.2.2 Thomas-Fermi模型 | 第26页 |
| 2.2.3 Hobenberg-Kohn定理 | 第26-27页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.2.5 交换关联函 | 第28-29页 |
| 2.3 输运理论 | 第29-33页 |
| 2.3.1 输运理论 | 第30-31页 |
| 2.3.2 格林函数方法理论 | 第31-33页 |
| 2.4 计算软件ATK | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 羟基边缘修饰对扶手椅型二硫化钼纳米带输运性质的影响 | 第37-48页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第38-40页 |
| 3.3 氢(羟基)边缘修饰对扶手椅型二硫化钼纳米带自旋输运性质的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 第四章 羟基边缘修饰对扶手椅型二硫化钼纳米带电子结构和磁性的影响 | 第48-58页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第49-50页 |
| 4.3 羟基边缘饱和过程对扶手椅型二硫化钼纳米带电子结构和磁性的影响 | 第50-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第五章 总结 | 第58-60页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
