| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 半导体光催化技术的发展 | 第12-23页 |
| 1.1.1 光催化技术的发展 | 第12-13页 |
| 1.1.2 半导体光催化的应用 | 第13-21页 |
| 1.1.2.1 污水处理 | 第13-16页 |
| 1.1.2.2 空气净化 | 第16-17页 |
| 1.1.2.3 光催化杀菌 | 第17-19页 |
| 1.1.2.4 防雾和自清洁 | 第19-21页 |
| 1.1.3 半导体光催化机理 | 第21-23页 |
| 1.2 光催化剂的研究现状 | 第23-31页 |
| 1.2.1 光催化活性的影响因素 | 第24-25页 |
| 1.2.2 提高光催化活性的途径 | 第25-31页 |
| 1.2.2.1 非金属离子掺杂 | 第25-26页 |
| 1.2.2.2 金属离子掺杂 | 第26页 |
| 1.2.2.3 不同半导体的复合 | 第26-27页 |
| 1.2.2.4 贵金属沉积 | 第27-29页 |
| 1.2.2.5 燃料敏化 | 第29-30页 |
| 1.2.2.6 表面还原处理 | 第30页 |
| 1.2.2.7 表面强酸化处理 | 第30-31页 |
| 1.3 本课题的研究背景和内容 | 第31-33页 |
| 1.3.1 研究背景 | 第31-32页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第32-33页 |
| 第二章 实验药品设备及研究方法 | 第33-37页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第33-34页 |
| 2.2 表征手段 | 第34-35页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析（XRD） | 第34页 |
| 2.2.2 高分辨率热场发射扫描电镜（FESEM） | 第34页 |
| 2.2.3 透射电镜（TEM） | 第34-35页 |
| 2.2.4 紫外–可见漫反射光谱（UV–VIS） | 第35页 |
| 2.2.5 BET比表面测定仪（BET） | 第35页 |
| 2.3 光催化性能评价 | 第35-37页 |
| 2.3.1 光催化反应装置 | 第35-36页 |
| 2.3.2 甲基橙（有机染料）降解测试 | 第36-37页 |
| 第三章TiO_2/ZnO的制备及其光催化性能的研究 | 第37-47页 |
| 3.1 前言 | 第37页 |
| 3.2 催化剂的合成 | 第37-38页 |
| 3.2.1 TiO_2纳米棒的制备 | 第37页 |
| 3.2.2 TiO_2/ZnO复合光催化剂的制备和ZnO的制备 | 第37-38页 |
| 3.3 样品的表征 | 第38-42页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 TEM分析 | 第39-40页 |
| 3.3.3 UV–VIS分析 | 第40-41页 |
| 3.3.4 BET分析 | 第41-42页 |
| 3.4 样品的光催化性能分析 | 第42-45页 |
| 3.4.1 光催化剂对甲基橙的降解效果 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 水热法制备不同形貌的半导体复合体系 | 第47-58页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 TiO_2薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.3 表征方法 | 第49-51页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第49-50页 |
| 4.3.2 FESEM分析 | 第50-51页 |
| 4.4 TiO_2/CdS复合体系的制备 | 第51页 |
| 4.5 表征方法 | 第51-54页 |
| 4.5.1 XRD表征 | 第52页 |
| 4.5.2 FESEM分析 | 第52-54页 |
| 4.5.3 UV-VIS分析 | 第54页 |
| 4.6 TiO_2/ZnO复合体系的制备 | 第54-55页 |
| 4.7 TiO_2/ZnO复合体系的表征 | 第55-57页 |
| 4.7.1 XRD表征 | 第55页 |
| 4.7.2 FESEM表征 | 第55-57页 |
| 4.8 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 异质结光催化机理的实验和理论探讨 | 第58-68页 |
| 5.1 引言 | 第58-59页 |
| 5.2 实验步骤 | 第59页 |
| 5.2.1 复合体系光催化剂的制备 | 第59页 |
| 5.2.2 单质Ag的沉积 | 第59页 |
| 5.3 表征方法 | 第59-62页 |
| 5.3.1 XRD和FESEM | 第60页 |
| 5.3.2 TEM和能谱分析 | 第60-61页 |
| 5.3.3 沉积Ag的TiO_2/CdS体系的XRD图谱 | 第61-62页 |
| 5.4 异质结光催化剂的理论分析 | 第62-67页 |
| 5.4.1 半导体概述 | 第62-63页 |
| 5.4.2 p-n异质结机理概述 | 第63-65页 |
| 5.4.3 n-n异质结机理概述 | 第65-66页 |
| 5.4.4 具有n-n异质结的TiO_2/ZnO复合半导体 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附件 | 第81页 |
