| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·气敏传感器概述 | 第11-16页 |
| ·气敏传感器的分类、发展及应用 | 第11-14页 |
| ·半导体气敏传感器的工作原理 | 第14-16页 |
| ·生物合成工艺的研究 | 第16-18页 |
| ·生物合成思想的形成 | 第16页 |
| ·仿生的分类及意义 | 第16-18页 |
| ·WO_3纳米材料的研究概况 | 第18-21页 |
| ·WO_3纳米材料的制备方法 | 第18-21页 |
| ·提高 WO_3材料气敏性能的途径 | 第21页 |
| ·In_2O_3纳米材料的研究概况 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究目的和创新点 | 第22-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-27页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第23-24页 |
| ·材料的表征 | 第24页 |
| ·气敏元件的制作与老化 | 第24-25页 |
| ·气敏性能的测试 | 第25-27页 |
| 第三章 蛋膜结构 WO_3纳米材料的合成及其气敏性能研究 | 第27-37页 |
| ·处理工艺对蛋膜模板形貌的影响 | 第28页 |
| ·蛋膜模板对 WO_3纳米材料的形貌及气敏性能影响 | 第28-32页 |
| ·纳米材料的制备 | 第28-29页 |
| ·纳米材料的表征 | 第29-32页 |
| ·气敏元件的制作及其气敏性能测试 | 第32-35页 |
| ·气敏元件的制作 | 第32-33页 |
| ·工作温度对元件灵敏度的影响 | 第33-34页 |
| ·气体浓度对元件灵敏度的影响 | 第34页 |
| ·元件的响应—恢复特性 | 第34-35页 |
| ·结论 | 第35-37页 |
| 第四章 合成条件对蛋膜结构 WO_3材料结构及气敏性能的影响研究 | 第37-53页 |
| ·合成温度对蛋膜结构 WO_3纳米材料的形貌及气敏性能影响 | 第37-43页 |
| ·纳米材料的制备 | 第37页 |
| ·材料的表征 | 第37-39页 |
| ·气敏元件的制作及其气敏性能测试 | 第39-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| ·前驱液浓度对蛋膜结构 WO_3纳米材料的形貌及气敏性能影响 | 第43-48页 |
| ·纳米材料的制备 | 第43页 |
| ·材料的表征 | 第43-44页 |
| ·气敏性能的测试 | 第44-48页 |
| ·结论 | 第48页 |
| ·升温过程及浸泡时间对材料形貌的影响分析 | 第48-50页 |
| ·纳米材料的制备 | 第48-49页 |
| ·纳米材料的表征 | 第49-50页 |
| ·结论 | 第50页 |
| ·结论 | 第50-53页 |
| 第五章 蛋膜结构 In_2O_3纳米材料的合成研究 | 第53-61页 |
| ·合成温度对蛋膜结构 In_2O_3纳米材料形貌的影响 | 第53-55页 |
| ·In_2O_3纳米材料的制备 | 第53页 |
| ·In_2O_3纳米材料的表征 | 第53-55页 |
| ·前驱液 pH 值及浸泡时间对蛋膜结构 In_2O_3纳米材料形貌的影响 | 第55-58页 |
| ·In_2O_3纳米材料的制备 | 第56页 |
| ·In_2O_3纳米材料的表征 | 第56-58页 |
| ·蛋膜分级结构 In_2O_3纳米材料合成机理的分析 | 第58页 |
| ·结论 | 第58-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第72-73页 |
