| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 YIG单晶薄膜研究的进展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 YIG晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 YIG单晶薄膜国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 YIG薄膜谐振器国内外研究现状 | 第12-18页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 液相外延La:YIG单晶厚膜的制备及性能分析 | 第20-32页 |
| 2.1 液相外延简介 | 第20-21页 |
| 2.2 液相外延La:YIG单晶厚膜的制备 | 第21-28页 |
| 2.2.1 熔体的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 基片的预处理 | 第23-24页 |
| 2.2.3 薄膜的生长过程 | 第24-28页 |
| 2.3 液相外延La:YIG厚膜性能分析 | 第28-31页 |
| 2.3.1 XRD图谱分析 | 第28页 |
| 2.3.2 表面形貌分析 | 第28-29页 |
| 2.3.3 磁性能分析 | 第29-30页 |
| 2.3.4 铁磁共振线宽分析 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 湿法刻蚀YIG工艺的研究 | 第32-42页 |
| 3.1 YIG刻蚀工艺简介 | 第32-33页 |
| 3.2 湿法刻蚀YIG工艺 | 第33-35页 |
| 3.2.1 YIG薄膜的预处理 | 第33-34页 |
| 3.2.2 湿法刻蚀YIG工艺流程 | 第34-35页 |
| 3.3 刻蚀结果分析 | 第35-40页 |
| 3.3.1 刻蚀液浓度、温度的影响 | 第35-39页 |
| 3.3.2 刻蚀时间的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 掩膜层结构的影响 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 平面化高Q谐振器的设计与制作 | 第42-61页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 在切向磁化铁氧体薄膜中的静磁波 | 第43-50页 |
| 4.2.1 静磁近似 | 第43-45页 |
| 4.2.2 Walker’s方程和静磁模 | 第45页 |
| 4.2.3 切向磁化薄膜中的静磁表面波(MSSW) | 第45-48页 |
| 4.2.4 静磁波的激发 | 第48-50页 |
| 4.3 X波段平面化高Q值谐振器的设计 | 第50-60页 |
| 4.3.1 换能器的设计 | 第50-52页 |
| 4.3.2 部分仿真结果 | 第52-54页 |
| 4.3.3 器件的加工 | 第54-56页 |
| 4.3.4 器件的测试 | 第56-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第66页 |