| 摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 超导量子计算简介 | 第8-9页 |
| 1.2 约瑟夫森结 | 第9-13页 |
| 1.2.1 约瑟夫森结的基本原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 约瑟夫森结的RCSJ模型 | 第11-12页 |
| 1.2.3 约瑟夫森结的I-V曲线 | 第12-13页 |
| 1.3 超导量子计算的研究现状和发展前景 | 第13-16页 |
| 1.4 小结 | 第16-17页 |
| 第二章 超导量子比特 | 第17-31页 |
| 2.1 超导磁通量子比特 | 第17-18页 |
| 2.2 Al/Al_2O_3/Al超导隧道结的制备 | 第18-30页 |
| 2.2.1 深紫外曝光光刻制备悬空掩膜结构 | 第19-22页 |
| 2.2.2 电子束角度蒸发制备铝薄膜 | 第22-28页 |
| 2.2.3 电子束蒸发过程遇到的问题与解决方法 | 第28-29页 |
| 2.2.4 A/Al_2O_3/Al隧道结成品图及I-V曲线 | 第29-30页 |
| 2.3 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 超导Nb悬空桥的制备研究及结果分析 | 第31-51页 |
| 3.1 用于超导量子比特器件中的悬空桥结构 | 第31-35页 |
| 3.1.1 超导悬空桥简介 | 第31-32页 |
| 3.1.2 超导悬空桥与电焊连接的对比简介 | 第32-33页 |
| 3.1.3 超导悬空桥与电介质悬空桥的对比 | 第33页 |
| 3.1.4 超导Nb悬空桥制备流程 | 第33-35页 |
| 3.2 直流磁控溅射制备Nb薄膜 | 第35-42页 |
| 3.2.1 随流磁控溅射设备 | 第35-40页 |
| 3.2.2 Nb薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.3 超导Nb薄膜的表面形貌分析 | 第41-42页 |
| 3.3 超导共面波导传输线的备 | 第42-44页 |
| 3.4 反应离子刻蚀制备悬空桥 | 第44-48页 |
| 3.4.1 支撑层和反应离子刻蚀保护层的选择 | 第44-46页 |
| 3.4.2 反应离子刻蚀条件 | 第46-48页 |
| 3.5 超导Nb悬空桥的测量 | 第48-50页 |
| 3.6 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 超导约瑟夫森参量放大器的制备 | 第51-53页 |
| 4.1 超导约瑟夫森参量放大器的简介 | 第51-52页 |
| 4.2 超导约瑟夫森参量放大器的工艺制备 | 第52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 硕士期间科研成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |