| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 介电可调薄膜的研究进展 | 第14-20页 |
| 1.3 BMN介电材料简介 | 第20-23页 |
| 1.3.1 BMN材料的结构 | 第20-21页 |
| 1.3.2 BMN材料的研究概况 | 第21-23页 |
| 1.4 论文的选题及研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验方法 | 第25-41页 |
| 2.1 BMN薄膜的制备 | 第25-32页 |
| 2.1.1 薄膜的制备方法 | 第25-28页 |
| 2.1.2 靶材的制备 | 第28-29页 |
| 2.1.3 基底和电极材料的选择与制备 | 第29-32页 |
| 2.2 薄膜的微观结构表征方法 | 第32-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术 | 第32-33页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第33-35页 |
| 2.2.3 拉曼光谱分析法 | 第35-36页 |
| 2.2.4 红外反射光谱分析法 | 第36-38页 |
| 2.3 薄膜的介电性能测试方法 | 第38-41页 |
| 2.3.1 C-V特性测试 | 第39页 |
| 2.3.2 I-V特性测试 | 第39-41页 |
| 第三章 BMN材料的结构及介电调谐机制分析 | 第41-55页 |
| 3.1 Mg~(2＋)离子含量对BMN结构的影响 | 第41-48页 |
| 3.2 Mg~(2＋)离子含量对BMN陶瓷材料介电性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.3 BMN材料介电调谐机理分析 | 第50-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 BMN薄膜材料的制备 | 第55-69页 |
| 4.1 薄膜生长条件 | 第55-59页 |
| 4.1.1 基底温度对薄膜结构影响 | 第55-57页 |
| 4.1.2 溅射气压对薄膜结构影响 | 第57-58页 |
| 4.1.3 溅射气氛对薄膜结构影响 | 第58-59页 |
| 4.2 Mg~(2＋)离子含量对BMN薄膜材料结构的影响 | 第59-62页 |
| 4.3 Mg~(2＋)离子含量对BMN薄膜材料介电性能的影响 | 第62-65页 |
| 4.4 优化条件下BMN薄膜的介电性能 | 第65-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 BMN薄膜介电损耗机理的研究 | 第69-88页 |
| 5.1 BMN薄膜介电损耗测试方案 | 第69-74页 |
| 5.2 BMN薄膜中的非本征损耗 | 第74-81页 |
| 5.2.1 普适弛豫现象 | 第74-75页 |
| 5.2.2 传导电子损耗 | 第75-76页 |
| 5.2.3 局域极化损耗 | 第76-77页 |
| 5.2.4 带电缺陷损耗 | 第77-80页 |
| 5.2.5 BMN薄膜的介电损耗机制分析 | 第80-81页 |
| 5.3 BMN薄膜的退火处理研究 | 第81-87页 |
| 5.3.1 退火处理对BMN薄膜结构的影响 | 第81-83页 |
| 5.3.2 退火处理对BMN薄膜介电性能的影响 | 第83-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 BMN图形化技术及原型器件的研究 | 第88-105页 |
| 6.1 BMN薄膜变容管的制备 | 第89-98页 |
| 6.1.1 BMN薄膜变容管的结构 | 第89-91页 |
| 6.1.2 BMN薄膜的图形化 | 第91-97页 |
| 6.1.3 BMN薄膜变容管的加工 | 第97-98页 |
| 6.2 BMN薄膜变容管的性能测试及结果分析 | 第98-103页 |
| 6.3 本章小结 | 第103-105页 |
| 第七章 结论 | 第105-108页 |
| 7.1 主要结论 | 第105-106页 |
| 7.2 创新点 | 第106-107页 |
| 7.3 未来工作的建议 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第119-121页 |
