硅晶体生长的分子动力学模拟研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 定向凝固技术 | 第9-10页 |
| 1.3 晶体生长的基本理论和其模拟方法 | 第10-13页 |
| 1.4 研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第2章 分子动力学方法及分析技术 | 第15-25页 |
| 2.1 分子动力学方法 | 第15-23页 |
| 2.1.1 基本原理与模型近似 | 第15-16页 |
| 2.1.2 平衡系综 | 第16-18页 |
| 2.1.3 控制方法 | 第18-20页 |
| 2.1.4 势函数 | 第20-23页 |
| 2.2 分析技术 | 第23-25页 |
| 第3章 硅的势函数对比研究 | 第25-47页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 体熔化 | 第26-33页 |
| 3.2.1 模型与方法 | 第26页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第26-33页 |
| 3.3 表面熔化 | 第33-41页 |
| 3.3.1 模型与方法 | 第33-34页 |
| 3.3.2 结果和讨论 | 第34-41页 |
| 3.4 晶体生长 | 第41-45页 |
| 3.4.1 模型与方法 | 第41-42页 |
| 3.4.2 结果和讨论 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 温度对硅晶体生长特性的影响 | 第47-58页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 模型与方法 | 第47页 |
| 4.3 模拟结果 | 第47-52页 |
| 4.4 分析与讨论 | 第52-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 生长面对硅晶体生长速率的影响 | 第58-67页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 模型与方法 | 第58-59页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第59-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第73页 |
