| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 氢化非晶硅薄膜生长机理 | 第11-13页 |
| 1.3 薄膜生长的计算机模拟 | 第13-16页 |
| 1.4 本文工作 | 第16-17页 |
| 第2章 分子动力学方法及分析技术 | 第17-26页 |
| 2.1 分子动力学方法简介 | 第17-20页 |
| 2.1.1 基本原理 | 第17页 |
| 2.1.2 势函数 | 第17-19页 |
| 2.1.3 温度控制方法 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜沉积生长的分子动力学模型 | 第20-21页 |
| 2.3 后处理分析技术 | 第21-26页 |
| 第3章 晶硅(001)表面生长 a-Si:H 薄膜 | 第26-45页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 物理模型与模拟方法 | 第27页 |
| 3.3 衬底温度对薄膜结构的影响研究 | 第27-33页 |
| 3.4 基团入射动能对薄膜结构的影响研究 | 第33-40页 |
| 3.5 基团入射频率对薄膜结构的影响研究 | 第40-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 晶硅(111)表面生长 a-Si:H 薄膜 | 第45-62页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 物理模型与模拟方法 | 第45-46页 |
| 4.3 衬底温度对薄膜结构的影响研究 | 第46-52页 |
| 4.4 基团入射动能对薄膜结构的影响研究 | 第52-58页 |
| 4.5 基团入射频率对薄膜结构的影响研究 | 第58-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 薄膜结构的 Voronoi 多面体分析 | 第62-80页 |
| 5.1 引言 | 第62-63页 |
| 5.2 近邻 Voronoi 多面体结构分析 | 第63-68页 |
| 5.2.1 硅结构中 Voronoi 多面体拓扑特性分析 | 第63-65页 |
| 5.2.2 Voronoi 多面体度量特性分析 | 第65-68页 |
| 5.3 最近邻 Voronoi 多面体结构分析 | 第68-69页 |
| 5.4 次近邻 Voronoi 多面体结构分析 | 第69-79页 |
| 5.4.1 a-Si:H/c-Si(001)薄膜结构分析 | 第71-75页 |
| 5.4.2 a-Si:H/c-Si(111)薄膜结构分析 | 第75-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第6章 结论 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第88页 |
