| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 Josephson效应和Josephson结 | 第9-10页 |
| 1.2 薄膜生长 | 第10-14页 |
| 1.2.1 薄膜形成的三种模式 | 第10-12页 |
| 1.2.2 核形成与生长的物理过程 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 2 实验仪器与技术 | 第15-25页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第15-16页 |
| 2.2 扫描隧道显微镜 | 第16-21页 |
| 2.2.1 STM的基本原理 | 第16-17页 |
| 2.2.2 STM的主要结构 | 第17-18页 |
| 2.2.3 STM的工作模式 | 第18页 |
| 2.2.4 STM针尖的处理 | 第18-21页 |
| 2.3 分子束外延技术 | 第21-22页 |
| 2.4 低温与强磁场技术 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 3 铅的量子生长模式与近期进展 | 第25-43页 |
| 3.1 铅薄膜中的量子尺寸效应 | 第25-30页 |
| 3.1.1 铅薄膜的双层生长模式 | 第26-28页 |
| 3.1.2 铅岛上选择性的条带生长与生长速率的调制 | 第28-30页 |
| 3.2 铅薄膜近期实验进展 | 第30-38页 |
| 3.2.1 铅薄膜单层相 | 第30-33页 |
| 3.2.2 铅薄膜的局域超导性质 | 第33-36页 |
| 3.2.3 能隙内电子态的产生 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 4 铅薄膜与铅超导针尖的STM研究 | 第43-51页 |
| 4.1 研究背景 | 第43页 |
| 4.2 实验过程 | 第43-48页 |
| 4.2.1 铅薄膜的生长 | 第45页 |
| 4.2.2 铅超导针尖对分辨率的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.3 Josephson结和系统误差 | 第47-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 5 Pb_xBi_(1-x)薄膜的探索 | 第51-56页 |
| 5.1 研究背景 | 第51页 |
| 5.2 实验过程 | 第51-54页 |
| 5.2.1 铅的SIC相的制备 | 第52-53页 |
| 5.2.2 Pb_xBi_(1-x)薄膜的制备 | 第53-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 总结 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |