| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 角分辨光电子能谱技术 | 第11-27页 |
| 1.1 角分辨光电子能谱技术原理 | 第12-20页 |
| 1.1.1 光电效应(Photoelectric Effect) | 第12-13页 |
| 1.1.2 一步模型和三步模型 | 第13-16页 |
| 1.1.2.1 第一步:光电子激发 | 第14页 |
| 1.1.2.2 第二步:光电子穿过样品到达表面 | 第14-15页 |
| 1.1.2.3 第三步:光电子通过表面渗透到真空中并被检测 | 第15-16页 |
| 1.1.3 光电流强度 | 第16-17页 |
| 1.1.4 准粒子模型 | 第17-18页 |
| 1.1.5 线性偏振和圆偏振选择定则 | 第18-20页 |
| 1.2 角分辨光电子能谱系统 | 第20-22页 |
| 1.2.1 同步辐射光源 | 第20-21页 |
| 1.2.2 超高真空系统(UHV) | 第21页 |
| 1.2.3 电子能量分析仪 | 第21-22页 |
| 1.2.4 六维操作样品架 | 第22页 |
| 1.3 实验操作与数据分析 | 第22-25页 |
| 1.3.1 实验样品制备、传输与测试 | 第22-23页 |
| 1.3.2 ARPES实验数据分析 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章 层状金属硫族化合物简介 | 第27-59页 |
| 2.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.2 层状金属硫族化合物的晶体结构和能带结构 | 第28-34页 |
| 2.2.1 晶体结构 | 第28-30页 |
| 2.2.2 能带结构 | 第30-34页 |
| 2.3 层状金属硫族化合物的物理性质 | 第34-41页 |
| 2.3.1 激子绝缘体转变(Excitonic Insulator Transition) | 第34-36页 |
| 2.3.2 电荷密度(CDW) | 第36-41页 |
| 2.3.2.1 派尔斯非稳性(Peierls Instability) | 第37-39页 |
| 2.3.2.2 激子模型(Excitonic Model) | 第39-41页 |
| 2.4 层状金属硫族化合物的多种调控手段 | 第41-53页 |
| 2.4.1 缺陷调控 | 第41-43页 |
| 2.4.2 插层调控 | 第43-45页 |
| 2.4.3 替代调控 | 第45-48页 |
| 2.4.4 界面相互作用调控 | 第48-50页 |
| 2.4.5 层数调控 | 第50-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 第三章 缺陷调控TiSe_2电子结构研究 | 第59-71页 |
| 3.1 引言 | 第59-60页 |
| 3.2 样品测试结果与分析 | 第60-66页 |
| 3.3 小结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第四章 Cu插层调控ZrSe_2电子结构研究 | 第71-83页 |
| 4.1 引言 | 第71-72页 |
| 4.2 样品测试结果与分析 | 第72-79页 |
| 4.3 小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第五章 Co(Cp)_2插层调控SnSe_2电子结构研究 | 第83-93页 |
| 5.1 引言 | 第83-86页 |
| 5.2 样品测试结果与分析 | 第86-91页 |
| 5.3 小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 第六章 Ta_2NiS_5的电子结构研究 | 第93-109页 |
| 6.1 引言 | 第93-96页 |
| 6.2 样品测试结果与分析 | 第96-104页 |
| 6.3 小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第七章 总结与展望 | 第109-111页 |
| 7.1 总结 | 第109-110页 |
| 7.2 展望 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第113页 |
