| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅材料的特性 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管的研究现状 | 第9-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 4H-SiC PiN 二极管工作原理 | 第13-27页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管的交直流工作机理 | 第13-16页 |
| ·直流信号作用下的工作特性 | 第13-15页 |
| ·交流信号作用下的工作特性 | 第15页 |
| ·交直流信号作用下的工作特性 | 第15-16页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管的等效电路模型 | 第16-19页 |
| ·正向偏置下的等效电路 | 第16-17页 |
| ·零偏和反向偏置下的等效电路 | 第17-18页 |
| ·PiN 二极管的封装等效电路模型 | 第18-19页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管的开关过程分析 | 第19-22页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管的性能参数 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 4H-SiC PiN 二极管的基本特性模拟 | 第27-49页 |
| ·器件模拟工具和模型参数选取 | 第27-34页 |
| ·器件模拟简介 | 第27-28页 |
| ·器件模型及材料参数 | 第28-32页 |
| ·Mixed-Mode 模式电路 | 第32-34页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管直流特性模拟 | 第34-39页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管直流正向特性的模拟 | 第34-37页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管直流反向特性的模拟 | 第37-39页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管开关特性的模拟 | 第39-46页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管开关特性的模拟 | 第40-41页 |
| ·4H-SiC PiN 二极管开关特性影响因素分析 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 漂移区渐变掺杂结构的开关特性研究 | 第49-61页 |
| ·漂移区渐变掺杂结构介绍 | 第50-53页 |
| ·器件结构及工作原理 | 第50-51页 |
| ·直流特性和开关特性模拟 | 第51-53页 |
| ·漂移区渐变掺杂结构的反向击穿特性 | 第53-55页 |
| ·漂移区三层渐变掺杂结构的优势 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 研究成果 | 第69-70页 |