| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 研究背景与选题意义 | 第13-45页 |
| 1.1 引言 | 第13-15页 |
| 1.2 基本物理概念与图像 | 第15-31页 |
| 1.2.1 超导与超导材料 | 第15-20页 |
| 1.2.2 电荷密度波 | 第20-24页 |
| 1.2.3 拓扑半金属 | 第24-31页 |
| 1.3 高压和载流子调控TMD材料的超导和拓扑性质 | 第31-43页 |
| 1.3.1 半导体材料MoS_2、MoSe_2的高压和载流子调控 | 第32-34页 |
| 1.3.2 半金属材料WTe_2、MoTe_2和1T-TiTe_2的高压超导调控 | 第34-36页 |
| 1.3.3 CDW材料:1T-TaS_2、1T-TiSe_2、2H-NbSe_2的高压和载流子调控 | 第36-40页 |
| 1.3.4 拓扑Dirac材料:PtSe_2家族材料 | 第40-43页 |
| 1.3.5 硼烯 | 第43页 |
| 1.4 本论文的选题背景、研究内容及意义 | 第43-45页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第45-59页 |
| 2.1 单电子近似与Bloch定理 | 第45-46页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第46-49页 |
| 2.2.1 Kohn-Sham方程 | 第46-48页 |
| 2.2.3 交换关联泛函与自洽过程 | 第48-49页 |
| 2.3 密度泛函微扰理论 | 第49-51页 |
| 2.4 超导BCS理论和计算方法 | 第51-53页 |
| 2.5 群的表示理论 | 第53-56页 |
| 2.5.1 群的基本概念 | 第53-54页 |
| 2.5.2 群的特征标表 | 第54-55页 |
| 2.5.3 Kramers简并 | 第55-56页 |
| 2.6 kp微扰理论 | 第56-59页 |
| 2.6.1 kp微扰基本方程 | 第56-57页 |
| 2.6.2 自旋轨道耦合的哈密顿量 | 第57-58页 |
| 2.6.3 矩阵形式 | 第58页 |
| 2.6.4 不变量理论 | 第58-59页 |
| 第三章 高压调控1T-TiTe_2的超导 | 第59-67页 |
| 3.1 本章引论 | 第59页 |
| 3.2 计算细节 | 第59页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第59-66页 |
| 3.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 高压调控PtSe_2家族材料的Dirac点 | 第67-90页 |
| 4.1 本章引论 | 第67页 |
| 4.2 计算细节 | 第67页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第67-80页 |
| 4.3.1 常压下PdTe_2的能带 | 第67-71页 |
| 4.3.2 高压下PdTe_2的Driac点的变化 | 第71-74页 |
| 4.3.3 kp分析 | 第74-76页 |
| 4.3.4 PdTe_2的超导电性随压力的变化 | 第76-77页 |
| 4.3.5 PtSe_2和PtTe_2在高压下Driac点的变化 | 第77-80页 |
| 4.4 破坏空间反演对称性实现三重简并点 | 第80-88页 |
| 4.4.1 计算细节 | 第81页 |
| 4.4.2 第一性原理计算结果 | 第81-84页 |
| 4.4.3 kp推导 | 第84-86页 |
| 4.4.4 三重简并点的手性 | 第86-88页 |
| 4.4.5 PtSSe和PtSeTe | 第88页 |
| 4.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 1T-TaS_2的CDW与超导的载流子调控 | 第90-99页 |
| 5.1 本章引论 | 第90页 |
| 5.2 计算细节 | 第90页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第90-98页 |
| 5.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 应力和载流子掺杂调控硼烯的超导 | 第99-107页 |
| 6.1 本章引论 | 第99-100页 |
| 6.2 计算细节 | 第100页 |
| 6.3 计算结果 | 第100-106页 |
| 6.3.1 自由弛豫硼烯的超导性质 | 第100-104页 |
| 6.3.2 应力调控 | 第104-105页 |
| 6.3.3 载流子掺杂调控超导 | 第105-106页 |
| 6.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 第七章 全文总结及展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-122页 |
| 附录 相关不可约表 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 博士期间发表论文情况 | 第126-127页 |
