| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 新型人工微纳结构光电探测器 | 第12-21页 |
| 1.2.1 石墨烯基光电探测器 | 第13-14页 |
| 1.2.2 基于过渡金属硫化物(TMDC)光电探测器 | 第14-16页 |
| 1.2.3 新型二维窄禁带半导体红外探测器 | 第16-18页 |
| 1.2.4 范德瓦尔斯异质结光电探测器 | 第18-21页 |
| 1.3 本论文研究意义与内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-33页 |
| 第二章 显微/微区光电表征系统设计与搭建 | 第33-46页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 微区光电流二维扫描成像系统 | 第34-37页 |
| 2.3 显微光谱分辨光电流扫描系统 | 第37-38页 |
| 2.4 低维半导体材料微区定点转移系统 | 第38-39页 |
| 2.5 显微光电流频率特性扫描系统 | 第39-40页 |
| 2.6 低维半导体探测器演示成像系统 | 第40-42页 |
| 2.7 总结与展望 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 第三章 晶圆级范德华二维异质结光电探测器制备与机理研究 | 第46-91页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 基于GaSe/GaSb二维异质结阵列探测器与成像演示 | 第47-67页 |
| 3.2.1 晶圆级二维范德华异质结材料制备与表征 | 第47-51页 |
| 3.2.2 GaSe/GaSb范德华异质结单元器件电学与光电特性表征 | 第51-64页 |
| 3.2.2.1 基于GaSe/GaSb范德华异质结单元器件电学表征 | 第51-54页 |
| 3.2.2.2 基于GaSe/GaSb范德华异质结单元器件光电响应表征 | 第54-56页 |
| 3.2.2.3 基于GaSe/GaSb范德华异质结单元器件光电流空间分布特性表征 | 第56-57页 |
| 3.2.2.4 基于GaSe/GaSb范德华异质结单元器件宽谱响应特性表征 | 第57-58页 |
| 3.2.2.5 基于GaSe/GaSb范德华异质结层厚依赖光学与光电特性表征 | 第58-60页 |
| 3.2.2.6 基于GaSe/GaSb范德华异质结单元器件时间响应表征 | 第60-63页 |
| 3.2.2.7 基于GaSe/GaSb范德华异质结单元器件噪声特性表征 | 第63-64页 |
| 3.2.3 二维范德华异质结成像演示与线列探测器制备 | 第64-67页 |
| 3.2.3.1 基于GaSe/GaSb范德华异质结线列探测器均匀性表征 | 第64-65页 |
| 3.2.3.2 基于GaSe/GaSb范德华异质结线列探测器双波段成像演示 | 第65-67页 |
| 3.2.4 小结 | 第67页 |
| 3.3 硅基外延大面积二维异质结探测器 | 第67-81页 |
| 3.3.1 基于GaSe/Si二维范德华异质结光电探测器 | 第68-72页 |
| 3.3.2 基于GaTe/Si二维范德华异质结光电探测器 | 第72-75页 |
| 3.3.3 基于GaTe_xSe_(1-x)/Si二维范德华异质结光电探测器 | 第75-80页 |
| 3.3.4 硅基二维材料探测器成像演示 | 第80-81页 |
| 3.3.5 小结 | 第81页 |
| 3.4 总结与展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-91页 |
| 第四章 基于局域场调控的高性能人工微纳结构光电探测器 | 第91-123页 |
| 4.1 引言 | 第91页 |
| 4.2 铁电局域场调控低维半导体光电探测器 | 第91-107页 |
| 4.2.1 铁电局域场增强ZnO纳米片紫外探测器 | 第91-101页 |
| 4.2.1.1 ZnO纳米片材料生长与器件制备 | 第92-94页 |
| 4.2.1.2 铁电局域场调控ZnO纳米片电学特性表征 | 第94-95页 |
| 4.2.1.3 铁电局域场调控ZnO纳米片光电特性表征 | 第95-98页 |
| 4.2.1.4 铁电局域场调控ZnO纳米片物理机制研究 | 第98-99页 |
| 4.2.1.5 铁电局域场调控ZnO纳米片持续光电导现象研究 | 第99-101页 |
| 4.2.2 铁电局域场增强MoS_2红外探测器 | 第101-106页 |
| 4.2.2.1 材料表征与器件制备 | 第102-103页 |
| 4.2.2.2 铁电局域场增强MoS_2红外探测器光电特性表征 | 第103-104页 |
| 4.2.2.3 铁电局域场调控机理研究 | 第104-106页 |
| 4.2.3 小结 | 第106-107页 |
| 4.3 光栅诱导局域场调控WSe_2/BP红外探测器 | 第107-114页 |
| 4.3.1 WSe_2/BP异质结器件制备与电学特性表征 | 第108-109页 |
| 4.3.2 基于WSe_2/BP异质结红外探测器光电特性表征 | 第109-113页 |
| 4.3.3 基于WSe_2/BP异质结偏振敏感性光电探测 | 第113-114页 |
| 4.3.4 小结 | 第114页 |
| 4.4 总结与展望 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-123页 |
| 第五章 传统平面型HgCdTe红外探测器微区结面研究与机理分析 | 第123-132页 |
| 5.1 引言 | 第123-124页 |
| 5.2 器件制备与模型建立 | 第124-125页 |
| 5.3 微区结面光电流表征 | 第125-128页 |
| 5.4 总结与展望 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-132页 |
| 第六章 总结与展望 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 博士期间论文发表情况 | 第136页 |
